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實驗三 簡易電晶體放大器
目的
瞭解不同放大器的特性 。
相關知識
1. 共射極放大器
2. 共源極放大器
3. 射極與源極隨耦器
4. 推挽式放大器
一 、雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor ,BJT )回顧
好久沒碰 BJT了,複習一下BJT 的特性。一個npn BJT偏壓調在順向活性區(forward
active )時 ,VBE 差不多維持在 0.7V 左右 ,變化不大,而且這時的IC 是 IB 的倍 。
我們還要注意 ,VCE 必須大於 0.2V 。BJT 在順向活性區的簡單電路模型總結如下
圖 :
二 、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier )
下面我們利用這個簡單的 BJT 模型瞭解右圖電路的操作 :
1. 靜態偏壓分析
R 和 R 將電晶體 Q 偏壓在順向活化區 ,基
1 2 1
極的靜態偏壓 V =V [R /(R +R )] ,這裡假設
B CC 2 1 2
IB 很小 ,不影響VB 之偏壓值 。射極的偏壓VE
約為 V -0.7V ,射極的靜態電流I =V /R ,集
B E E E
極電流 I =I [/(+1)]I (通常1 ) 。C
C E E 1
為阻隔電容 (blocking capacitor ) ,使Q 基級
1
偏壓不受輸入電壓 Vin 的直流部份影響 。
2. 功能分析
假如在 V 輸入交流訊號V ,而C 對V 可視為短路 ,因此V =V ,又射極的
in 1 B
電壓會隨 V 變化 ,V =V =V ,若輸出訊號由射極接出,則此電路為一射極
B E B
實驗三之1
隨耦器 (emitter follower ) ,類似的電路在上學期已經測量過。
假如輸出是由集極接出呢?這裡我們看一下V 多大 。I I =V /R =V/R ,
C C E E E E
又 V =V -I R ,V =-R I ,故
C CC C C C C C
V =V(-R /R ) 。 (式3-1 )
C C E
因此這個電路可視做一個放大器(稱做共射極放大器,common-emitter amplifier ),
放大率 A =-R /R ,負號代表輸出訊號的相位和輸入差了180 。
V C E
三 、射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier )
假如上面放大器電路中R =0 ,A =- ?不太可能吧?
E V
問題出在推導式 3-1 時 ,我們假設電晶體在forward
active 時 VBE 固定在 0.7V ,不受IC (或IE )影響 ,即
有IC 但無VBE 。事實上,由Ebers-Moll 模型可知
V / 25mV
I I e BE (在 forward active 時) ,
C S
V / 25mV
I /V =(1/25mV) I e BE
C BE S
=(1/25m
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