半导体器件物理3_2..pptVIP

3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4.1工作模式和少子分布 (1)正向有源工作模式： ?0， ?0 基区少子满足的边界条件为 ， (2)反向有源工作模式： 0， 0 相应的边界条件为: , (3)饱和工作模式： ?0， ?0 相应的边界条件为: , (4) 截止工作模式: 0， 0 相应的边界条件为: 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 四种工作模式及相应的少子分布 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4.2 爱拜耳斯—莫尔 方程 发射极注入到基极的电子电流为: 基极注入到发射极的空穴电流为: 对于 的情形（3-19)简化为: （在电路分析中，不考虑（3-19）式和（3-24）式中的负号）。 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 暂时把发射结空间电荷区复合电流看作是外部电流，则 式中 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 爱拜耳斯—莫尔模型的等效电路图 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 根据图3-15C可以写出 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 将（3-48）式与（3-40）式比较，（3-49）式与（3-42）式比较，得到 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 以上讨论的E-M方程，只是一种非线性直流模型，通常将它记为 模型。在 模型的基础上计及非线性电荷贮存效应和欧姆电阻，就构成第二级复杂程度的 模型。第三级复杂程度的 模型则还包括多种二级效应，如基区宽度调制，基区展宽效应以及器件参数随温度的变化等等。 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 小结 给出了BJT在四种工作模式下少子分布边界条件和少子分布示意图。 导出了E－M方程 讨论了E－M方程的基本思想。 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 教学要求 理解并记忆BJT四种工作模式下的少子分布边界条件 画出BJT四种工作模式下少子分布示意图。 理解写出方程（3-24）的根据。 根据爱拜耳斯—莫尔模型的等效电路图导出E－M方程 了解E－M方程中四个参数的物理意义 根据E－M方程写出四种模式下发射极电流和集电极电流表达式。 作业：习题3-5、3-6、3-7。 3.5缓变基区晶体管 3.5缓变基区晶体管 2N3866晶体管的杂质分布： 3.5缓变基区晶体管 一、基区的缓变杂质分布，引起内建电场 这个电场沿着杂质浓度增加的方向，有助于电子在大部分基区范围内输运。这时电子通过扩散和漂移越过基区薄层，致使输运因子增加。 二、基区少子分布 3.5缓变基区晶体管 四、基区输运因子 把整个基区复合电流取为 3.5缓变基区晶体管 四、基区输运因子 对于均匀基区，（3-58）式化简为（3-32）式。 基区的缓变杂质分布，引起内建电场 这个电场沿着杂质浓度增加的方向，有助于电子在大部分基区范围内输运。 3.5缓变基区晶体管 小结 利用式（3-52）、（1-137）和爱因斯坦关系导出了少子分布公式 导出了电流公式 导出了基区输运因子公式 3.5缓变基区晶体管 教学要求 1.导出缓变基区晶体管基区内建电场公式（3-52）。 2.导出少子分布公式（3-55）。 3.导出电流公式（3-56）。 4导出基区输运因子公式（3.59）。 5.扩展知识：导出缓变发射区晶体管发射区少子空穴分布和空穴电流分布表达式（考研参考）。 6.作业：3.8、3.9、3.10 3.6基区扩展电阻和电流集聚 3.6基区扩展电阻和电流集聚 一、基区扩展电阻和电流集聚 有源电阻和无源电阻 3.6基区扩展电阻和电流集聚 二、中功率双极晶体管交叉指状电极图形的俯视图 3.6基区扩展电阻和电流集聚 小结 指出了BJT存在基极电阻并分析了电流集聚效应。 提出了有源电阻、无源电阻、基区扩展电阻和电流集聚的概念。 交叉指状电极能有效克服电流集聚效应。 教学要求 了解BJT基极扩展电阻和电流集聚效应。 掌握有源电阻、无源电阻、基区扩展电阻和电流集聚的概念。 为什么交叉指状电极能有效克服电流集聚效应。