台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的分析.pdfVIP

VI 4H—SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究 4．2版图设计及工艺步骤…………………………………………………………44 4．2．14H．SiC SBD版图设计…………………………………………………44 4．2．2制备工艺流程…………………………………………………………．45 4．3本章小结………………………………………………………………………．47 第五章研究总结………………………………………………………………………49 致谢…………………………………………………………………………………………………………………51 参考文献………………………………………………………………………………．53 第一章绪论 第一章绪论 1．1碳化硅材料的优势及研究背景 电子元器件是电子系统的基石，作为微电子器件的主要基底材料，硅基器件 占了IC和分立器件的绝大部分的份额。而随着科学技术的发展，在越来越多的行 业，如电力电子、航天航空、石油勘探、军事等，都对电子元器件的性能提出了 更好的要求，需要电子元器件能承受高压、高频、高温、强辐射这些外部条件， 传统的硅基器件就无法胜任了，对半导体新材料和新器件的探索已经成为当务之 急。 碳化硅(SIC)材料拥有卓越的物理化学和电学性质，特别适合制作承受高压、 高频、高温、强辐射等器件，因而被称为第三代半导体材料【l】，成为国际研究的热 点[21【3】。表1．1列出了几种半导体材料的对比，从中我们可以更直观看到SiC的优 越性【4】f51。 表1．1室温(300K)几种半导体材料特性比较 材料 SiC Si GaAs 4H．SiC 6H．SiC 3H．SiC 3．26 3．03 2．30 1．12 1．43 Eg(eV) 2．20 2．40 4．OO 0．25 O．30 Ec(Mv／Cm) 3．0～3．8 3．0～3．8 3．0—5．0． 1．5 O．5 K(W／m·k) Vat(107cm／s)2．O 2．0 2．5 1．0 1．O ￡r 9．7 9．7 9．7 11．9 13．1 ni 8．2×10．9 2．3×10．66．9 1．5×10lo1．8X106 2／v·s、 ／／c轴：800／／c轴：60750 1200 6500 u．(cm j-c轴：800 ND=1016锄。3 上c轴：400 D汀 I I I I D 注：Eg禁带宽度；E。临界击穿电场；K热导率；V蛳饱和电子漂移速度； ￡r相对介电常数；un电子迁移率：D直接带隙半导体；I间接带隙半导体。 由表1．1可以看出，SiC的几种同质材料，其特性都优于Si和GaAs。例如禁 带宽度、临界击穿电场、热导率等，都是Si和GaAs的两倍以上。因此，SiC特别 适合制作承受高压、高频、高温、强辐射等器件。如图1．1所示，SiC器件因其具 备较低的正向导通电阻，所以尤其适合制作耐高压器件。 2 台阶场板结构4H．SiC高压肖特基二极管的研究 ／ ／ ，．／ ＼