单结晶体管的识别及检测.doc

范文范例 精心整理 word完美格式 湖 南 省 技 工 学 校 理 论 教 学 教 案 教师姓名： 学 科 变频 调速 执行记录 日期 星期 检查 签字 班级 节次 课题 单结晶体管的识别与检测 课 的 类 型 实验 教 学 目 的 了解单结晶体管及触发电路的工作原理。 教 学 重 点 单结晶体管的识别与检测。 教 学 难 点 单结晶体管及触发电路的工作原理。 主要 教学 方法 演示，示范，讲授。 教 具 挂 图 BT33、电阻、电容、万用表、电烙铁等。 教学 环节 时间 分配 1、组织教学时间 2 3、讲授新课时间 70 2、复习导入时间 8 4、归纳小结时间 5 5、作业布置时间 5 教 学 后 记 范文范例 精心整理 word完美格式 实验二 单结晶管振荡电路的制作与调试 任务一 单结晶体管的识别与检测 欲使晶闸管导通，它的控制极上必须加上触发电压vG，产生触发电压vG的电路称为触发电路。触发电路种类繁多，各具特色。本节主要介绍用单结晶体管组成的触发电路。 一、 单结晶体管 它的外形与普通三极管相似，具有三个电极，但不是三极管，而是具有三个电极的二极管，管内只有一个PN结，所以称之为单结晶体管。三个电极中，一个是发射极，两个是基极，所以也称为双基极二极管。 1. 结构与符号 其结构如图7-2-1(a)所示。它有三个电极，但在结构上只有一个PN结。有发射极E，第一基极B1和第二基极B2，其符号见图7- 2. 伏安特性 单结晶体管的等效电路如图7-2-1(c)所示，两基极间的电阻为RBB = RB1 + RB2，用D表示PN结。RBB的阻值范围为2～15KΩ之间。如果在Bl、B2两个基极间加上电压VBB，则A与Bl之间即R (7-2-1) 式中η称为分压比，它与管子的结构有关，一般在0.3～0.8之间，η是单结晶体管的主要参数之一。 EB E B2 E PN结 B1 N P E B1 B2 VD A RB1 RB2 B1 B2 E D VBB 图7-2-1 单结晶体管 IEVEBTEBREEEEB1B2mAV截止区 负阻区 饱和区VP PVIEIVV IE VE BT EB RE EE E B1 B2 mA V 截止区 负阻区 饱和区 VP P V IE IV VV a IP （a）测试电路 (b)伏安特性 图7-2-2 单结晶体管伏安特性 当外加电压VEηVBB+VD时(VD为PN结正向压降)，PN结承受反向电压而截止，故发射极回路只有微安级的反向电流，单结晶体管子处于截止区，如图7-2- 在VE =ηVBB+VD时，对应于图7-2-2(b)中的P点，该点的电压和电流分别称为峰点电压VP和峰点电流IP。由于PN结承受了正向电压而导通，此后RB1 急剧减小，VE随之下降，IE迅速增大，单结晶体管呈现负阻特性，负阻区如图 V点的电压和电流分别称为谷点电压VV和谷点电流IV。过了谷点以后，IE继续增大，VE略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V以右的特性，称为饱和区。当发射极电压减小到VEVV时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。 综上所述，峰点电压VP是单结晶体管由截止转向导通的临界点。 （7-2- 所以，VP由分压比η和电源电压决定VBB。 谷点电压VV是单结晶体管由导通转向截止的临界点。一般VV = 2～5V（VBB = 20V）。 国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。BT表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW。 单结晶体管的检测 图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。好的单结晶体管PN结正向电阻REB1、REB2均较小，且REB1稍大于REB2，PN结的反向电阻RB1E、RB2E均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。 用万用电表R×10Ω档分别测量EB1、EB2间正、反向电阻，记入表7－2-1 表7-2－1 REB1(Ω) REB2(Ω) RB1E(KΩ) RB2E(KΩ) 结 论 任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试 -RR2SB - R R2 S BT C + E R1 B2 B1 vG 充电 放电 o vG ωt ωt VP o VE t1 t2 VV (a)电路图