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* * XAM的码型效应 * MZM LiNbO3调制器 * * 推挽（push-pull）工作模式 * （1）RZ-33脉冲序列 * （2）RZ-50脉冲序列 * （3）RZ-66脉冲序列 * （i）NRZ-OOK 注意！通常需要在信号源，如码型发生器/误码测试仪（PPG，Pseudo-random Pattern Generator）后加电宽带功率放大器（driver）以达到调制器外加射频幅度要求。 * * （ii）NRZ-BPSK/DPSK * 根据上述介绍，我们可以用两个调制器级联（串联），生成RZ-OOK以及RZ-DPSK调制格式。 MZM LiNbO3调制器的级联 OOK、BPSK、DPSK RZ33、RZ50、RZ66 需要注意的是，两个调制器之间的射频相位关系，可以通过射频宽带移相器或在两个调制器之间加入光延时线调整。 下面以RZ-33为例分别给出RZ33-OOK及RZ33-DPSK的产生及结果 双平行调制器(LiNbO3) ——QPSK/DQPSK DPMZM可以看作是一个复数域的完备集调制器。RF1射频调制信号和RF2射频调制信号分别看作是I路和Q路，那么在合成偏压Bias3的作用下，将Q路已调信号的载波相位移动90deg，则DPMZM传递函数满足： 二、铌酸锂调制器 1、基本结构 * X切(X-cut)调制器 * Z切(Z-cut)调制器 * 3、关键参数 半波电压 消光比 * 调制带宽 影响调制带宽的主要因素有电极电容和渡越时间 §2.3 EAM (Electro-absorption Modulator) 一、基本原理及结构 1、量子限制斯塔克效应(Quantum-confined Stark effects) * 对于1.55?m的工作波长，其吸收带大致位于1.45?m范围内 EAM的调制是损耗调制 EAM的调制是反相调制 * 2、基本结构 波导型 横向调制型 * 二、特征参数 1、电路模型 从电路角度看，EAM实际为一工作在反向偏置状态的PN结，所吸收光转化为光生电流 * 2、吸收特性 消光比 吸收效率与EAM的长度、结构及光强有关 * 3、驱动电压 为获得一定的消光比所需要的调制电压。目前 3V 吸收效率高则驱动电压小 4、调制带宽 调制带宽主要取决于电极的寄生电容，与材料本身特性关系极小，目前调制带宽～60GHz。 * 5、插入损耗 插入损耗与EAM的长度、光纤的耦合效率有关，一般 6dB。 6、啁啾特性 EAM的线宽增强因子?很小，典型值0.5 因为 而 则 * * 三、应用 1、信号调制 一般情况下，EAM与Laser Diode集成在一起，即EML。集成需要考虑两方面的问题：?不同材料的生长；?Laser Diode与EAM的隔离 2、光开关 ?短脉冲产生 * * * * ?解复用窗口 * 3、波长变换 *