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第四章 半导体器件 4-3 绝缘栅型场效应晶体管 Field effect transistor 主要内容 MOS管的类型 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 场效应管的主要参数 场效应管的工作特点 一、 MOS管的类型 (1)若同时在漏源-极间加上固定的正向电压VDS，则漏极电流iD将受VGS的控制，|VGS|增大时，沟道电阻增大，iD减小。 (2)上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场，电场强度的大小控制了沟道的宽度，即控制了沟道电阻的大小，从而控制了漏极电流iD的大小。 MOS管分类： MOS管的电路符号 二、MOS管的伏安特性曲线和工作状态 2.转移特性曲线 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点，不受温度影响。 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、灵活 三、场效应管的主要参数 四、工作特点 退出 主要内容 重点 难点 BUPT EE 2009.1 退出 开始 场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )。 (a) 输入电阻高，可达107 ~1015W。 (b) 起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极 型晶体管。 (c) 体积小、重量轻、耗电省、寿命长。 (d) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺 简单。 (e) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。 场效应管的主要特点 1. 结型场效应管，简称JFET (Junction Field Effect Transistor)。 场效应管按结构可分为 场效应管的类型 2. 绝缘栅型场效应管，简称IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)。 场效应管的与三极管的 三个电极的对应关系： 栅极g--基极b 源极s--发射极e 漏极d--集电极c 夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 图1(a)所示的管子的N区是电流的通道，称为N沟道结型场效应管。 1．结型场效应管的结构 因此，讨论场效应管的工作原理就是： （1）讨论栅-源电压VGS对漏极电流iD（或沟道电阻）的控制作用 （2）讨论漏-源电压VDS对漏极电流iD的影响。? 偏置电压的要求： ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 当uDS=0时，uGS对沟道的控制作用动画演示 当VGS=0时， VDS? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 沟道电阻? ID基本不变 ? ② VDS对沟道的控制作用 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP (a)当漏-源电压VDS从零开始增大时，沟道中有电流iD流过。 (b)在VDS的作用下,导电沟道呈楔形 由于沟道存在一定的电阻，因此，iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在漏极端最大(为 |VGD| )，即加到该处P+N结上的反偏电压最大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽，沟道宽度不再均匀，而呈楔形， (2)．VDS对iD的影响 设VGS值固定，且VPVGS0 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 一种用输入电压（外加电场）控制输出电流的的半导体器件。 MOSFET符号 增强型 耗尽型 G S D S G D P沟道 G S D N沟道 G S D UGS=0时，没有漏极电流， UGS=0时，有漏极电流， UGS高电平导通 UGS低电平导通 需要加负的夹断电压UGS(off)才能关闭，高于夹断电压UGS(off)则导通 而只在UGS0时，能导通，低于开启电压UGS(th)截止 1.伏安特性与参数 a．输出特性 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 输出特性曲线 2 4 0 6 10 20 GS(th) GS D