第八章 成像器件..pptVIP

实物照片 4 三维激光扫描成像原理 三维激光扫描成像是通过激光测距技术，记录被测物体表面大量的密集的点的三维坐标信息和反射率信息 对采集的点云数据根据行业应用进行各种后处理应用 工程应用（1）——桥梁监测 工程应用（2）——隧道检验 文物保护 样机 系统框图 信号处理电路板 RL C 防反射膜 信号板 光导靶 1）光导靶 由光窗、信号板和靶组成。 靶面的轴向电阻小，横向电阻大，有利于保持光电转换形成电量的潜象，并在扫描周期内实现积分存储。 视象管的基本结构：光导靶和电子枪。 一）光电导式摄象管（视象管） RL C 防反射膜 信号板 光导靶 聚焦线圈 偏转线圈 校正线圈 聚焦电极 加速电极 K 聚焦线圈 校正线圈 偏转线圈 G 2）电子枪 电子枪的作用是产生热电子，并使它聚焦成很细的电子射线，按着一定的轨迹扫描靶面。逐点地采集这些转换后的电量形成串行输出信号。 3）视频信号的形成 —帧图像可分成四十多万个像元。每个像元可用一个电阻和电容c来等效。 电容c起存储信息的作用，电阻R随着光照度的增大而变小，无光照时R为暗电阻R0、光照后变为Rc(E)，是与照度有关的变量。 视频信号 RL CL E K 每个象元（象素）有序的转化为视频电信号 （1）硅靶摄象管 硅靶是贴在信号板上的一块硅片，朝着电子枪一面生成几十万个相互隔离的PN结(光电二极管)。 硅靶窗口玻璃内表面涂有一层很薄的金属膜，有引线同负载相连，称为信号板。 玻璃面板 信号板 电阻海 RL 工作过程：光照在P型岛上形成电势—电子线扫描连线形成电流—在输出电阻上产生与视频对应的电压信号（ P型岛拉回低电位） 硅靶的特性 1)抗烧伤性 耐强光、耐高温 2)光谱特性及灵敏度 硅靶的光谱响应范围为 0.4～1.1μm． 峰值波长为 0.65～0.85μm。 3)暗电流 硅靶的暗电流较大，约为10 nA，且随温度每升高9℃，暗电流约增加一倍。 光导摄像管的光谱响应特性曲线 a-Sb2S3光导摄像管 b-pbO光导摄像管标准型 c-pbO光导摄像管全色型 d-CdSe光导摄像管 e-硅靶摄像管 g-ZnCdTe光导摄像管 （2）氧化铅靶摄像管 PbO靶摄像管的特点是： PIN结构，工作原理与硅靶类似 灵敏度较高，可达400μA／lm； 暗电流小，低于1nA, 光电特性好；惰性小，三场后残余信号不大于4％。 N I P SnO2 透明导电膜 玻璃 RL VT （40～60V） 信号板 （3）碲化锌镉靶摄像管 碲化锌锡靶摄像管的灵敏度很高，可在星光下获得可用的图象，多用于微光电视。 Sb2S2 ZnxCd1-xTe ZnSe 信号板SnO2 ZnSe（N）无光电效应，增强短波光吸收，提供可见光灵敏度，与第二层ZnxCd1-xTe（P）形成异质结。 第三层Sb2S2减小电子束注入效应，减小暗电流和惰性 二）光电发射式摄像管 光电变换部分和光信息存储部分彼此分离，组成为移象区。 Al2O3 加速电压8kV AL2O3 信号板（Al膜） 疏松的KCl （1）二次电子导电摄像管(SEC) 工作过程：光学图像在光电阴极上产生相应光电子发射—加速打到SEC靶上产生二次电子发生—形成电势分布—后面与光电导输出一样 SEC管的主要特性： 1)灵敏度 SEC管整管的灵敏度与光电阴极的灵敏度、加速电压和靶有关，一般可达20000μA／lm。 2)分辨率 25mm管中心分辨事约为600TvL／H 3)惰性 三场后残余信号小于5％ 4)存储性能 SEC靶的电阻率大于1010Ωcm-1，漏电极小，暗电流小于0.1μA，因此信息电荷可在靶上长时间存储而不泄漏。 （2）硅增强靶摄像管(SIT) 用硅靶代替SEC管KCl靶即构成硅增强靶摄像管(SIT) 靶增益为SEC管的10倍以上，通过改变移像区的施加电压可改变靶的电子增益。 移像区 电子枪 光电阴极 靶 用光学纤维面板将像增强器与硅增强靶管耦合在一起．就组成了超高灵敏度的硅增强靶管，通常称为ISIT管或IEBS管。 （3）超高灵敏度的硅增强靶管（ISIT） 硅靶 光阴极 光阴极2 光阴极1 阳极1 阳极2 补充：典型光电成像系统设计 1 CMOS成像系统 2 非致冷红外热像仪 4 三维激光扫描成像 3 科学级CCD数字相机 1 CMOS成像系统 ——二维条形码识别系统 一维条形码 二维条形码 硬件设计 图像传感器模块