高校无机化学配合物的化学键理论(天津大学第四版)讲义.pptVIP

8.2 配位化合物的化学键理论 E0 E 自由离子 球形场 弱八面体场 强八面体场 t2g eg dx2-y2 dz2 dxy dxz dyz △o Es dx2-y2 dz2 dxy dxz dyz △?o 配位场越强,d轨道能级分裂程度越大 不同构型的配合物，中心离子d轨道 能级分裂情况不同 注意 3. 分裂能及其影响因素 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 同种配体 一般 △o △t (四面体场) △t = △o 4 9 配合物的几何构型 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 配体的性质 同一中心离子形成相同构型的配合物，不同的配体, 配体场强不同, △ 不同。 配离子 配体 分裂能△o/(kJ·mol-1) [CrCl6]3- Cl- 158 [CrF6]3- F- 182 [Cr(H2O)6]3+ H2O 208 [Cr(NH3)6]3+ NH3 258 [Cr(CN)6]3- CN- 314 配位体场增强 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 配体的性质 ——以上称为光谱化学系列 I-Br-S2-SCN-?Cl-NO3 F-OH- ONO-C2O4 H2ONCS-edta NH3enNO2-CN-?CO 弱场配体 强场配体 - 2- 8.2 配位化合物的化学键理论 中心离子的电荷 同一过渡元素与相同配体形成配合物时，中心离子电荷越多，其△越大 过渡金属离子 Ti2+ V2+ Cr2+ Mn2+ Fe2+ Co2+ Ni2+ Cu2+ M2+的d电子数 d2 d3 d4 d5 d6 d7 d8 d9 △o/(kJ·mol-1) - 151 166 93 124 111 102 151 过渡金属离子 Ti3+ V3+ Cr3+ Mn3+ Fe3+ Co3+ Ni3+ Cu3+ M3+的d电子数 d1 d2 d3 d4 d5 d6 d7 d8 △o/(kJ·mol-1) 243 211 208 251 164 - - - 如 [M(H2O)6]2+和[M(H2O)6]3+的△ 影响分裂能的因素 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 元素所在周期数 相同氧化数、同族过渡元素与相同配体形成配合物时，中心离子所在周期数越大，其△越大 周 期 配离子 △o/(kJ·mol-1) 四 [Co(NH3)6]3+ 274 五 [Rh(NH3)6]3+ 408 六 [Ir(NH3)6]3+ 490 8.2 配位化合物的化学键理论 4.电子成对能和配合物高、低自旋的预测 电子在分裂后轨道上的分布: 遵循能量最低原理, 泡利不相容原理和洪德规则 如 Cr3+ d3 eg t2g E 八面体场 8.2 配位化合物的化学键理论 d4?d7构型的离子, d电子分布有高、低自旋两种方式。 如 Cr2+ d4 [Cr(H2O)6]2+ [Cr(CN)6]4- 高自旋 低自旋 电子成对能(P)和晶体场分裂能的相对大小 △o eg t2g △o ′ eg t2g △o P, 形成高自旋配合物 △o P, 形成低自旋配合物 H2O是弱场 (△o△′o) CN-是强场 8.2 配位化合物的化学键理论 弱场 未成对电子数 强场 未成对电子数 t2g eg t2g eg d1 ↑ 1 ↑ 1 d2 ↑ ↑ 2 ↑ ↑ 2 d3 ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ 3 d4 ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 2 d5 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 5 ↑ ↑ ↑ 1 d6 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 0 d7 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ ↑ 1 d8 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2 d9 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1 d10 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ d1?d3构型的离子, d电子分布只有一种形式 d8?d10构型的离子, d电子分布只有一种形式 d4?d7构型的离子, d电子分布有两种形式 8.2 配位化合物的化学键理论 弱场 未成对电子数 强场 未成对电子数 t2g eg t2g eg d1 ↑ 1 ↑ 1 d2 ↑ ↑ 2 ↑ ↑ 2 d3 ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ 3 d4 ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 2 d5 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 5 ↑ ↑ ↑ 1 d6 ↑ ↑ ↑