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第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 器件模型 为了进行电路模拟，必须先建立元器件的模型，也就是对于电路仿真程序所支持的各种元器件，在模拟程序中必须有相应的数学模型来描述他们，即能用计算机进行运算的计算公式来表达他们。 一个理想的元器件模型，既能正确反映元器件的电学特性又适于在计算机上进行数值求解。一般来讲，器件模型的精度越高，模型本身也就越复杂，所要求的模型参数个数也越多。这样计算时所占内存量增大，计算时间增加。而集成电路往往包含数量巨大的元器件，器件模型复杂度的少许增加就会使计算时间成倍延长。反之，如果模型过于粗糙，会导致分析结果不可靠。 器件建模方法 一种是从元器件的电学工作特性出发，把元器件看成黑盒子，测量其端口的电气特性，提取器件模型，而不涉及器件的工作原理，称为行为级模型。这种模型的代表是IBIS模型和S参数。其优点是建模和使用简单方便，节约资源，适用范围广泛，特别是在高频、非线性、大功率的情况下行为级模型几乎是唯一的选择。缺点是精度较差，一致性不能保证，受测试技术和精度的影响。 另一种是以元器件的工作原理为基础，从元器件的数学方程式出发，得到的器件模型及模型参数与器件的物理工作原理有密切的关系。SPICE模型是这种模型中应用最广泛的一种。其优点是精度较高，特别是随着建模手段的发展和半导体工艺的进步和规范，人们已可以在多种级别上提供这种模型，满足不同的精度需要。缺点是模型复杂，计算时间长。 2.1 理想本征集成双极晶体管的EM模型 npn晶体管的工作状态 根据克希霍夫定律，写出端电流和结电流、结电压的关系： EM模型的理论基础是相邻两个pn结的相互作用 各结电流为： 2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应 有源寄生：PNP晶体管 抑制寄生pnp的影响 可采用外延层掺金工艺，引入深能级杂质，降低少子寿命，从而降低 。掺金工艺是在NPN管集电区掺金（相当于在PNP管基区掺金）掺金的作用，使PNP管基区中高复合中心数增加，少数载流子在基区复合加剧，由于非平衡少数载流子不可能到达集电区从而使寄生PNP管电流放大系数大大降低 NPN管基区侧壁到P+隔离环之间也会形成横向PNP管，必须使NPN管基区外侧和隔离框保持足够距离 2.3集成双极晶体管的无源寄生效应 无源寄生效应： 寄生电阻： 发射极串联电阻；集电极串联电阻，基区电阻 寄生电容： 与PN结有关的耗尽层势垒电容Cj; 与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容CD; 电极引线的延伸电极电容Cpad; 发射极串联电阻rES 由发射极金属和硅的接触电阻rE，C与发射区的体电阻rE，b，组成. rES = rE，C+ rE,b 集电极串联电阻rES 减小集电极串联电阻的措施 基区电阻rB 用平均功率法来估算RB1 用计算薄层电阻的公式计算RB2 耗尽层势垒电容Cj (1)利用劳伦斯-沃纳曲线（该曲线是在耗尽层近似和恒定衬底浓度的条件下获得的，只能用来计算反偏的pn结） 劳伦斯-沃纳曲线 (2)查表 对于反偏pn结，作为一级近似，利用公式 突变结： 缓变结： 对于正偏pn结 扩散电容CD 扩散电容反映晶体管内可动少子存储电荷 与所加 偏压的关系。（考虑pn结正偏情况） 减小集电结扩散电容的措施 采用低电阻率的外延层； 减小管芯面积； 将晶体管控制在浅饱和； 采用集电区掺金； 采用非饱和电路结构（ECL） … 考虑寄生效应的晶体管等效电路 其他晶体管模型 目前仿真软件中双极晶体管模型包括EM模型和GP（Gummel-Poon）模型 EM2 模型在EM1 基础上增加了寄生电阻、电容 EM模型没有考虑 1、基区宽度调制等二级效应； 2、个别元件的分布性质 GP模型用解析的方法，得到了更为准确的晶体管传输电流特性， GP模型： 1、反映基区宽度调制-厄尔利效应 2、描述晶体管大电流特性-webster效应 3、反映小电流下空间电荷区复合电流对晶体管特性的影响 4、考虑了电流集边效应对基极电阻的影响 5、考虑了BC结电容的分布特性 双极晶体管的SPICE模型参数 2.4集成电路中的PNP管 （一）横向PNP管 （1）横向PNP管的结构 横向PNP管的特点 BVEBO高，（结深，电阻率高） 放大倍数小（基区宽度大，寄生PNP） 频率响应差 临界电流小 存在纵向PNP的影响 采取措施： 1、图形设计上减少发射区面积与周长比（最合理图形是窄条型）；尽可能使集电区包围发射区 2、在工艺上采用增大结深及采用埋层工艺的办法 （1.1）横向PNP管的直流电流放大倍数 横向PNP本身结构上的限制 1、横向平均基区宽度不可能做得太小 2、