第二章 基本放大电路..ppt

无输出变压器（OTL）的互补对称放大电路 R3 RL ui V1 V2 +UCC CL A uo + + - + - R2 VD1 VD2 + C B1 B2 R1 由于二极管的动态电阻很小，R1的阻值也不大，所以V1和V2的基极交流电位基本上相等，否则将会造成输出波形正、负半周不对称的现象。 放大电路静态电流很小，功率损耗也很小，因而提高了效率。在理论上效率可达78.5％。 (4) 复合管 iC1 iC iC2 iE iE1 （iB 2） iB 1 T1 T2 NPN iC iC2 iE2 iE1 （iB 2） iB 1 PNP T1 T2 iC1 iB iE 三、无输出电容（OCL）的互补对称放大电路 R3 RL ui V1 V2 +UCC A uo + - + - R2 VD1 VD2 B1 B2 R1 －UCC 特点：双电源供电、输出无电容器。 静态时： ui = 0V，uo = 0V。 动态时： ui 0V T2导通，T1截止 ui 0V T1导通，T2截止 四、集成功率放大电路 第十一节 场效应晶体管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本书仅介绍绝缘栅型场效应管 一、 绝缘栅场效应晶体管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型 每类又有N沟道和P沟道之分 (一) N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 1．基本结构 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 2．工作原理 P型硅衬底 N+ N+ G S D 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 UDS + – 耗尽层 ID 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS UDS + – ID 3．特性曲线 （1）转移特性曲线 有导电沟道 无导电沟道 开启电压UGS(th） 2 UDS=常数 UGS/V ID/mA 4 4 8 12 16 （2）输出特性曲线 变阻区 放大区 夹断区 UGS=2V ID/mA UDS/V UGS=3V UGS=4V UGS=5V UGS=6V 4 4 8 8 12 12 16 放大区： ID几乎不随的UDS增大而变化，但在一定的UDS下，ID随UGS增加而增大，呈现恒流特性。 变阻区:在UGS一定时，导电沟道电阻一定，故ID与UDS近似线性关系。改变UGS的值，可以改变沟道电阻大小。 截止区：在UGSUGS(th)时，漏、源极间无导电沟道，此时ID=0，MOS管截止。 N型衬底 P+ P+ 结构 绝缘栅场效应晶体管 P沟道增强型 G S D 符号： (二) N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 G S D 符号： SiO2绝缘层中 掺有正离子 N沟道 夹断电压 特性曲线: 0 ID/mA UGS /V -2 -4 4 8 12 16 2 4 UDS=常数 U DS/V UGS=-2V 0 ID/m