第二章光电探测器1 (1)..pptVIP

什么是本征半导体？什么是非本征半导体？ * 什么是本征半导体？什么是非本征半导体？ * 探测器内涵很丰富，我们不是专门讲光电探测器的，也不是专门研究光电探测器。需要搞清楚的是物理内涵。 国内研究光电探测器的单位：北京半导体所，重庆光电所，上海光机所，中电集团11所，13所，兵器211所，邮科院。 * 二、特性参数 1.响应度 2.量子效率 3.噪声等效功率 4.探测率D和比探测率D 5.光谱响应 6.响应速度 * 1. 响应度Rv或RI 响应度是描述探测器灵敏度的参量。它表征探测器输出信号与输入光信号间关系的参数，又称为光电探测器的灵敏度。 设光电探测器输出电压为Vs或电流为Is，入射到光电探测器上的光功率P Rv＝Vs／P RI＝is／P 分别称为光电探测器的电压响应度和电流响应度。 单色灵敏度和积分灵敏度 * 单色灵敏度 使用波长为λ的单色辐射源，则称为单色灵敏度，又叫光谱响应度，用Rλ表示， 定义：光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上单色辐射通量(光通量)之比。 (V/W) (A/W) 式中， Φ(λ)为入射的单色辐射通量或光通量。如果Φ(λ)为光通量，则Rλv的单位为V／lm。 * 积分灵敏度 积分灵敏度表示探测器对各种波长辐射光连续辐射通量的反应程度。对包含有各种波长的辐射光源，总光通量为： 光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为积分灵敏度。 * 由于光电探测器输出的光电流是由不同波长的光辐射引起的，所以输出光电流为： 得到积分灵敏度为： 式中， 、 分别为光电探测器长波限和短波限。 * 2.量子效率η（λ） 量子效率是评价光电器件性能的一个重要参数，它是在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。 单个光量子的能量为 单位波长的辐射通量为 波长增量 内的辐射通量为 在此窄带内的辐射通量，换算成量子流速率N为: 量子流速率N即为每秒入射的光量子数。 * 若IS为信号电流，e为电子电荷， 每秒产生的光电子数为： 量子效率为： 讨论 入射一个光量子就能发射一个电子或产生一对电子—空穴对； 实际上， 。 对于有增益的光电探测器(如光电倍增管等)，会远大于1，此时一般使用增益或放大倍数这个参数。 * 从响应度来看，好象只要有光辐射存在，不管它的功率如何小，都可探测出来。 当入射功率很低时，输出只是杂乱无章的信号，无法肯定是否有辐射入射在探测器上。这它固有的“噪声”引起的。 随时间起伏的电压(流)按时间取平均值，则平均值等于零。但其均方根不等于零，这个均方根电压(流)称为探测器的噪声电压(流)。 * 3.噪声等效功率(NEP)（最小可探测功率Pmin） 信噪比(S／N) 1）作用：判定噪声大小。 2）表示：在负载电阻RL上产生的信号功率与噪声功率之比： 分贝(dB)表示： 3）注意 利用S／N评价两种光电探测器性能时，必须在信号辐射功率相同的情况下才能比较。 对单个光电探测器，其S/N的大小与入射信号辐射功率及接收面积有关。如果入射辐射强，接收面积大，S/N就大，但性能不一定就好。因此用S/N评价器件有一定的局限性。 * 噪声等效功率(NEP) 定义：信号功率与噪声功率之比为1(即S／N＝1)时，入射到探测器上的辐射通量(单位为瓦)： 一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。NEP越小，噪声越小，器件的性能越好 应指明测量条件，如光谱分布、频率、温度等。 * 4．探测率D与比探测率D* NEP愈小，探测性能愈好，但只用NEP无法比较两个不同来源的光探测器的优劣。 两个新性能参数：探测率D和比探测率D* 探测率D定义为NEP的倒数： 它描述的是：光电探测器在它的噪声电平之上产生一个可观测电信号的本领，即光电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。 探测率D与光敏面积Ad、测量带宽有关。 * 2）比探测率D* 探测器的噪声电压与探测器的光敏面积的平方根成正比，与测量带宽的平方根成正比。 为了能方便地对不同来源的光电探测器进行比较，将Vn除以 ，则D就与Ad和带宽无关了，也就是归一化到测量带宽为1Hz、光探测器光敏面积为1cm2。这种归一化的探测率一般称为比探测率，通常用D*表示: * 5.光谱响应 定义： 不同波长的光辐射照射到探测器光敏面时，探测器的响应率和比探测率等特性参量随光辐射波长变化。