湖南大学期末考试题微电子复习资料.ppt

本征半导体中的自由电子和空穴 雪崩击穿：低掺杂，耗尽层宽，高反向（击穿）电压， 碰撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多 次重复，反向电流增大。 齐纳击穿：高参杂，耗尽层窄，低反向（击穿）电压， 激发价电子（拉出），产生电子空穴对，反 向电流增大。 半导体三极管图片 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 2.5.1 结型场效应三极管 结构 它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离子区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心（现在的金氧半场效应晶体管多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样的结构正好等于一个电容（capacitor），氧化层为电容器中介电质（dielectric material），而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数 （dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。 若0＜uGS＜uGS(th)时，空穴向P衬底下方排斥，出现薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中少子向表层运动，不足以形成沟道将漏源沟通，所以不可以形成漏极电流ID。 2)漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （当uGS＞uGS(th)，且为固定值时，uDS的不同变化对沟道的影响） 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 场效应管的符号及特性 场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。 三 逻辑门电路 1. MOS逻辑门电路 2. TTL逻辑门电路 3.6 TTL逻辑门 2.氧化 氧化是指硅和氧气进行化学反应，得到二氧化硅。 为加速反应过程，需要干净，高温 n阱CMOS工艺 (1) 定义n阱 起始材料：p型衬底 初始氧化； 光刻，定义出n阱；刻蚀SiO2; n阱磷扩散 生长一薄层SiO2； 淀积Si3N4； 光刻，刻蚀Si3N4； 热生长一层厚氧化层； 去掉Si3N4； 去掉有源区的薄SiO2层； 生长一层薄的高质量的栅氧化层 淀积多晶硅层； 光刻，刻蚀，形成多晶硅栅极； 光刻； 掺入砷（n型），形成n+源区和漏区 光刻； 掺入硼（p型），形成p+源区和漏区 生长一层厚氧化层； 光刻，确定孔的位置； 刻蚀，形成接触孔； 淀积金属层 光刻； 刻蚀。 CMOS反相器版图 N 阱扩散 确定有源区 沉积硅栅 n+扩散 p+扩散 生成接触孔 产生金属连线 能带论 能带理论是目前研究固体中电子运动的一个主要理论基础． 在二十世纪二十年代末和三十年代初期，在量子力学运动规律确立以后，它是在用量子力学研究金属电导理论的过程中开始发展起来的．最初的成就在于定性地阐明了晶体中电子运动的普遍性的特点。 —— 说明了固体为什么会有导体、非导体的区别 —— 晶体中电子的平均自由程为什么会远大于原子的间距…… —— 能带论为分析半导体提供了理论基础，有力地推动了半导体技术的发展 —— 大型高速计算机的发展， 使能带理论的研究从定性的普遍性规律发展到对具体材料复杂能带结构的计算 能带论 能级 能带：固体中的多粒子运动简化为一个电子在周期性势场中的运动 自由电子的能谱是抛物线型： 在晶体弱周期性势场的微扰，电子能谱在布里渊边界发生能量跃变，产生了禁带 当晶体中原胞的数目趋于无限大时，波矢 变得非常密集，这时能级的准连续分布形成了一系列的能带 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 所有固体都包含大量的电子，但电子