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退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响李海涛江-物理学报
退火温度对电子束蒸发沉积Cu O 薄膜性能的影响
李海涛 江亚晓 涂丽敏 李少华 潘玲 李文标 杨仕娥 陈永生
Influence of annealing temperature on properties of Cu O thin films deposited by electron beam evap-
oration
Li Hai-Tao Jiang Ya-Xiao Tu Li-Min Li Shao-Hua Pan Ling Li Wen-Biao Yang Shi-E Chen
Yong-Sheng
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,053301(2018) DOI: 10.7498/aps
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I5
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 5 (2018) 053301
退火温度对电子束蒸发沉积Cu O
薄膜性能的影响
李海涛 江亚晓 涂丽敏 李少华 潘玲 李文标 杨仕娥 陈永生
(郑州大学物理工程学院, 教育部材料物理重点实验室, 郑州 450052)
( 2017 年11 月16 日收到; 2017 年12 月13 日收到修改稿)
近年来, 钙钛矿太阳电池(PSCs) 得到了迅猛发展, 而无机空穴传输材料(IHTMs) 的使用可进一步降低
电池的成本, 提高电池的稳定性. 本文通过电子束蒸发制备了Cu O 薄膜, 研究了空气中退火温度及时间对薄
膜组成、结构及光电性能的影响, 并构筑了p-i-n 反型平面异质结钙钛矿太阳电池. 研究发现: 由于热解作用,
直接通过电子束蒸发制备的薄膜为Cu O 和Cu 的混合物; 而在空气中经过退火后, 由于氧化作用, 随着退火
温度的升高, 薄膜
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