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表面态采用埋沟器件
微电子器件基础;引言;MOSFET的基本结构;4.1 双端MOS结构;4.1.1 能带图;4.1.1 能带图;4.1.1 能带图;4.1.1 能带图;4.1.2 耗尽层厚度;4.1.2 耗尽层厚度;4.1.2 耗尽层厚度;4.1.3 功函数差;4.1.3 功函数差;4.1.3 功函数差;4.1.4 平带电压;4.1.4 平带电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.5 阈值电压;4.1.6 电荷分布;4.1.6 电荷分布;4.2 电容-电压特性;4.2.1 理想C-V特性;4.2.1 理想C-V特性;4.2.1 理想C-V特性;4.2.2 频率特性;4.2.2 频率特性;4.2.3 固定栅氧化层和界面电荷效应 ;4.2.3 固定栅氧化层和界面电荷效应;4.3 MOSFET基本工作原理;4.4.1 MOSFET的基本结构;4.4.2 电流－电压关系――概念 ;4.4.2 电流－电压关系――概念;4.4.3 电流－电压关系――数学推演*;4.4.3 电流－电压关系――数学推演*;4.4.4 跨导;4.4.5 衬底偏置效应 ;4.4 频率特性 ;4.4.1 小信号等效电路 ;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.1 小信号等效电路;4.4.2 频率限制因素与截止频率 ;4.5 CMOS技术;4.6 小结;;;习题
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