Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金晶格参数与带隙参数.pdfVIP

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r Be 基 - 族宽带四元合金的 晶格参数与带隙参数 王善忠　何　力　沈学础 ( 中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室　上海　200083) 摘要　分析了三元合金 bow ing 参数的计算公式, 指出 Z 值应当为替换原子的价电子数; 通过 与实验值的比较, 将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类; 对共阳离子体系忽略库仑屏 蔽作用, 库仑屏蔽参数S cr 取零, 对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用, S cr 取 0 30. 用二元化合 物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数. 用三元合金的晶格 常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数, 直观地给出了带隙、晶格常数与组 分的关系. 本文同时修正了A B C D 型四元合金带隙的计算公式. 1- x - y x y : 6855; 　 : 2520 , 2530 , 4320 PACC EEACC D C J 1　引言 [ 1 ] [ 2 ] 1991 年夏美国 3 公司 和普渡布朗大学联合研究组 首次成功地演示了 基蓝 M ZnSe 绿色半导体激光二极管, 在世界范围内引起了极大的关注. 在高密度光存储器、全色显示及 海洋水下通讯等技术需求的驱使下, 实现蓝绿激光器的实用化一直是问题的焦点. 1992 年, [ 3 ] 日本Sony 公司 报道了以 ZnM gSSe 为电、光限制层的器件以后, 由于该材料具有合适的 能带结构、晶格常数、掺杂浓度及折射率而被广泛用作光限制层, 器件寿命提高到了 1015 [ 4 ] 小时 , 给器件的实用化带来了新的希望. 在取得进步的同时, 人们发现 ZnSe 基材料在器件的实用化进程中仍然举步唯艰. 困难 主要源于 ZnSe 基材料易于产生堆垛层错, 大量实验表明, 这是导致器件快速退化的重要原 [ 5 ] 因之一 . 尽管形成缺陷的机理十分复杂, 但人们相信 ZnSe 基材料的强离子性是产生退化 缺陷的主要原因. [ 6 ] 考察 ZnSe 以外的其它 族化合物, 发现含Be 化合物均为闪锌矿结构 , 且它们的