硅外延层载流子浓度的测试电容.doc

GB/T 14146—XXXX PAGE \* MERGEFORMAT 8 ICS FORMTEXT 77.040 FORMTEXT H21 中华人民共和国国家标准 GB/T FORMTEXT XXXXX— FORMTEXT XXXX FORMTEXT 代替GB/T 14146-2009 FORMTEXT 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 FORMTEXT Determination of the carrier concentration of silicon epitaxial layer by contactless C-V method FORMTEXT 点击此处添加与国际标准一致性程度的标识 FORMDROPDOWN FORMTEXT （草案） FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 GB/T 14146—XXXX PAGE \* MERGEFORMAT 7 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14146-2009《硅外延载流子浓度测定 汞探针电容－电压法》。本标准与GB/T 14146-2009相比，主要有如下变动： 干扰因素增加了硅片表面处理、设备仪器的影响； 增加仪器评判内容，适当调整部分仪器精度； 细化测试环境要求； 增加样品处理方法； 增加无接触电容-电压法测试载流子浓度的方法。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、semilab… 本标准主要起草人： 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 14146-2009。 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 范围 本标准规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016cm-3。本标准也可以用来测试硅 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 术语和定义 GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。 方法一 汞探针电容-电压法 方法原理 汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒。在汞探针与硅外延片之间加一反向偏压，结的势垒宽度向外延层中扩展。结的势垒电容(C)及其电压(V)的变化率(dc/dv)与势垒扩展宽度(x)及其相应的载流子浓度[N(x)]有如公式（1）和公式（2）关系： …………………………………………(1) ………………………………………………(2) 式中： ——势垒扩展宽度，单位为厘米（cm）； ——载流子浓度，单位为每立方厘米（cm-3）； ——势垒电容，单位为法（F）； ——电子电荷，1.602×10-19，单位为库仑（C）； ——相对介电常数，其值为11.75； ——真空介电常数，其值为8.859×10-14 ，单位为法每厘米（F/cm）； ——汞-硅接触面积，单位为平方厘米（cm2）。 只要测得,和，便可由式（1）和式（2）计算得到势垒扩展宽度处的。 干扰因素 硅片表面和汞的沾污，毛细管的沾污或损伤会造成测试误差和测试不良。 C-V汞探针测量中的肖特基接触不良，常表现为漏电流大。不良的肖特基接触虽可得到载流子浓度，但会产生较大的测试误差。 在电容测试中，测试的交流信号大于0.05Vrms可能会导致误差。 确定补偿电容的标准片在电压应用范围内的浓度一致性不好，会导致补偿电容的的错误，进而影响测试浓度的准确性。 硅片表面处理方法不同易造成测试误差。 仪器校验、设备误差 试剂与材料 氢氟酸(分析纯)。 双氧水(分析纯)。 去离子水，电阻率大于10MΩ·cm(25 汞，纯度大于99.99%。 氮气，纯度大于99.5%。 烘烤设备 测试仪器 采用自动测试仪器进行，主要由以下几部分组成： 精密电压源：能提供0V到±200V连续变化的输出电压，精度高于0.1％。各级电压峰值变化不大于25mV。 精密电容器：在1MHz的测量频率下有高于0.25％的准确度。 数字伏特计：读值至少具有4位有效数字，测试电压范围±1V～±200V或更大，每级变化为10V或更小，灵敏度高于1m