p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究.PDFVIP

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2019-01-12 发布于天津
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p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究

第34 卷第 1 期无机材料学报 Vol. 34 No. 1 2019 年1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2019 文章编号: 1000-324X(2019)01-0079-06 DOI: 10.15541/ji p 型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究 1, 2 1 1 1 2 1 梁玉 , 梁凌燕 , 吴卫华 , 裴郁 , 姚志强 , 曹鸿涛 (1. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 浙江省石墨烯应用研究重点实验室, 宁波 315201; 2. 郑州大学材料科学与工程学院, 国家低碳环保材料智能设计国际联合研究中心, 郑州 450001) 摘要: 可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程, 从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术–微流控法: 将宽度及间隔均为80 μm 、沟槽深度为2 μm 左右的PDMS 模板与衬底贴合构筑微流通道, 毛细力作用下前驱液可在微流通道内流动, 并在衬底表面形成图形化的液膜, 最后经热处理完成图行化的薄膜沉积。此外, 分析了硝酸镍/2- 甲氧基乙醇前驱体的热分解过程和不同温度退火下前驱体粉末的相结构演化规律。最终利用微流控法图形化沉积技术制备了图形化的氧化镍沟道, 并构筑了薄膜晶体管器件。优化后的薄 2 –1 –1 膜晶体管表现出典型的p 型特征, 场效应迁移率可达0.8 cm ·V ·s 。关键词: 氧化物半导体; 溶液法; 浸润性; 薄膜晶体管; 热失重–差热曲线中图分类号: TN321; TB43 文献标识码: A Microfluidic-method-processed p-type NiO Thin-film Transistors x 1, 2 1 1 1 2 1 LIANG Yu , LIANG Ling-Yan , WU Wei-Hua , PEI Yu , YAO Zhi-Qiang , CAO Hong-Tao (1. Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Pr