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- 2019-01-11 发布于福建
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电力电子开望关器件仿真模型比较
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电力电子开关器件仿真模型比较
张薇琳 张波 丘东元 褚利丽
(广州华南理工大学电力学院,广东 广州 510640)
Modeling of Power Electronic Devices
Zhang Wei-lin, Zhang Bo, Qiu Dong-yuan, Chu Li-li
(College of Electric Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China)
摘要:电力电子开关器件的模型建立一直是一个研究难点,其真实性和精确性是衡量建模的标准。本文对基本电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、MOSFET和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点和适用场合,由此为电力电子开关器件的分析提供研究基础。
关键字:功率二极管;GTO;晶闸管;MOSFET;IGBT;仿真模型
Abstract: There is always a difficulty in modeling of power electronic devices, with the validity and accuracy as its judgment. This paper reviews generic mo
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