第一章+半导体器件银与模型.ppt

第 一 章 1.1 半导体的导电特性 1、本征半导体的结构与模型 本征半导体： 2、本征半导体的导电原理 3、本征半导体中载流子浓度 1.1.2 杂质半导体 N型半导体 1.1.3 半导体中的电流 1.2 PN结 1.2.2 PN结的导电特性 2、反向特性 结论 3、PN结的正向伏安特性 1.2.3 PN结的击穿特性? 雪崩击穿： 齐纳击穿： 击穿电压的温度特性： PN结的温度特性 1.2.4 PN结的电容特性 1.2.5 二极管的结构和主要参数 2、二极管的V－I特性 3、二极管的主要参数 1.3 二极管的等效模型及分析方法 3、二极管恒压降模型 4、折线模型 5、小信号模型 1.3.2 二极管电路的分析方法 交流信号的图解 2、工程近似法 2）限幅电路 3）开关电路 4）低电压稳压电路 3、小信号等效分析法 1.3.3 特殊二极管 稳压管的主要参数 简单稳压电路 1.4 半导体三极管 2、基本结构和符号 结构特点 3、三极管（放大电路）的三种组态 晶体管具有电流放大作用的外部条件： 三极管的工作状态 1.4.2 三极管放大区的工作原理 三极管的电流分配关系 2、晶体管的共射电流放大系数 3、共基电流放大系数 1.4.3 三极管的伏安特性曲线 输出特性曲线 2、共发射极电路特性曲线 输出特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 极限参数 温度对三极管参数及特性的影响 1.4.6 三极管的小信号模型 小信号的范围 1、共发射极三极管混合π型模型的引入 2、混合π型参数与工作点电流的关系 1）三极管的跨导gm 2）发射结的结层电阻 3）集射电阻 4）集电结的结层电阻 5）基区体电阻 3、三极管的网络参数模型 H参数的含义 2）共发组态的H参数模型 3、两种参数模型的比较 1.5 场效应管 场效应管的分类 1.5.1 MOS场效应管 N沟道的形成及导电过程 漏源电压对沟道的影响 可变电阻区（非饱和区） 恒流区（饱和区） 截止区 2、耗尽型MOS场效应管 1.5.2 结型场效应管(JFET) 2、 JFET的工作原理（以N沟道为例） VGS对沟道的控制作用 0≤vGS≤ Vp时, vDS 对沟道的影响 小 结 2、JFET的特性曲线 1.5.4 FET的等效模型 小信号等效电路 1.5.5 FET的主要参数 FET与BJT的比较 UGS UT ，iD = 0； 　　UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UT 时) UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 移特性 iD/mA vDS /V O 恒流区 可变电阻区 夹断区 耗尽型管的电路符号 P沟道 N沟道 饱和漏电流 Vp为夹断电压 1、 结构 N型导电沟道 漏极D(d) 源极S(s) P+ P+ 空间电荷区（耗尽层） 栅极G(g) d g s N沟道 d g s Ｐ沟道 符号 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 结型场效应管用改变 VGS 大小来控制漏极电流 ID 。 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 d g s VGS对沟道具有控制作用 VDS对沟道也产生影响 VGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 VGS 由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 VGS = VGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断. VGS(off)为夹断电压,为负值。也可用VP表示 vGD ＝ vGS －vDS ? VDS? ? ID ? GD间PN结的反向电压增加,使靠近 漏极处的耗尽层加宽,呈楔形分布。 ? VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 ? VDS ? ?夹断区延长,但ID基本不变 改变 vGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； 结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (1)在vGD ＝ vGS －vDS vGS(off)情况下, 即当vDS vGS -vGS(off) 对应于不同的vGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当vDS使vGD ＝ vGS(off)时，d-s之间预夹断 (3)当vDS使vGD vGS(off)时， iD几乎仅仅决定于vGS ， 　而与vDS 无关。此时， 可以把iD近似看成vGS控制的电流源。 输出特性曲线 予夹