第一章1二怡极管=.ppt

（1）单相半波整流电路 （2）笔记本电源切换电路 本节小结与要求（熟练掌握掌握理解了解） §1.4 双极型晶体三极管（BJT） 思考的问题： 双极型晶体三极管是 通过什么方式来控制电流的？ 为什么晶体三极管可用于放大？ 1.4.1半导体三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 二 、共发射极接法时BJT的电流控制关系 1.4.3 半导体三极管的特性曲线 例1： 例2：测得电路中三极管3个电极的电位如图所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些已损坏？ 1.4.4. 三极管的其它形式 1.4.6 三极管的判别及手册的查阅方法 半导体三极管图片 本节小结 三极管放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管的内部工艺：发射区高掺杂，基区低掺杂且很薄，集电区面积大。 三极管内部的电流分配关系是一定的： 分析三极管用到输入特性曲线和输出特性曲线，输出特性曲线有三个区：饱和区、线性放大区和截止区。 §1.5 场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET ） 结型场效应晶体管 （JFET ） 场效应晶体管的参数 1.5.1 绝缘栅场效应晶体管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 1.5.3 双极型和场效应型晶体管的比较 思考： 小结与要求 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 VP 1. 输出特性 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 1.N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 vGS 0 iD IDSS VP 夹断电压 饱和漏极电流 小结（JFET管） 输出特性曲线 iD vDS 0 vGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 -2V 可变电阻区 夹断区 恒流区 预夹断曲线 击穿区 转移特性曲线 vGS 0 iD IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 2 P沟道结型场效应管 D G S 符号 栅源端加正电压 漏源端加负电压 予夹断曲线 iD v DS 2V vGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 P沟道结型场效应管 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 电压控制电流源 VCCS(gm) 电流控制电流源CCCS(β) 电压输入 多子漂移 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 结型 N沟道 P沟道 D与S，有的型号可互换使用 场效应晶体管 电流输入 多子扩散，少子漂移 NPN型 PNP型 C与E 一般不可互换使用 双极型晶体管 输入量 载流子 结构 适宜大规模和超大规模集成 不易大规模集成 集成工艺 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 几兆欧姆以上 较小，可有零温度系数点 较小 场效应晶体管 几十到几千欧姆 受温度影响较大 较大 双极型晶体管 输入电阻 温度特性 噪声 试问下图各是哪一种FET的转移特性曲线。 uGS Up IDSS iD 0 （a） UT iD uGS 0 （b） （a）N沟道耗尽型MOSFET （b）N沟道增强型MOSFET UP IDSS iD uGS 0 （c） UT iD uGS 0 （d） （c）P沟道JFET （d）P沟道增强型MOSFET 分析： 1） N沟道FET的iD0， P沟道FET的iD0，故可根据iD的方向判断N或P沟道型FET。 2）耗尽型FET的标志参数为UGS（off）（UP）， 增强型FET的标志参数为UGS（th）（UT）。 3）同是耗尽型的JFET、MOSFET，区别为MOSFET的uGS可正可负，而JFET的uGS只可单方向，或正或负。 uGS Up IDSS iD 0 （