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* 第5章 放大电路的频率响应 重点： 1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管（场效应管）的高频等效模型 （混合?模型）。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。 5.1　 5.1.1　研究放大电路频率响应的必要性 由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容，所以电路的放大倍数为频率的函数，这种关系称为频率响应或频率特性。 小信号等效模型只适用于低频信号的分析。本章将引入高频等效模型，并阐明放大电路的上限频率、下限频率和通频带的求解方法，以及频率响应的描述方法。 频率响应概述 一、 高通电路 + _ + _ C R 　 RC 高通电路 令： 5.1.2　频率响应的基本概念 fL称为下限截止频率 则有： 放大电路的对数频率特性称为波特图。 对数幅频特性： 实际幅频特性曲线： 　 幅频特性 当 f ≥ fL(高频)， 当 f fL (低频)， 高通特性： 且频率愈低，　的值愈小，低频信号不能通过。 f 　　最大误差为 3 dB，发生在 f = fL处。 0.1 fL fL 10 fL 0 -20 -40 3dB 20dB/十倍频 对数相频特性 　 相频特性 5.71o -45o/十倍频 fL 0.1 fL 10 fL 45o 90o ?? 0 f 误差 在低频段，高通电路产生 0 ~ 90°的超前相移。 5.71o 二、 RC 低通电路的波特图 　RC 低通电路图 + _ + _ C R 令 ： 则： fH　称为上限截止频率 　低通电路的波特图 对数幅频特性： 0.1 fH fH 10 fH f 0 -20 -40 3dB -20dB/十倍频 对数相频特性： fH 10 fH -45o 5.71o 5.71o -45o/十倍频 -90o 0.1 fH ?? 0 f 在高频段，低通电路产生0~ 90°的滞后相移。 小结 （1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间　　常数τ，即决定了fL和fH 。 （2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降　　　3dB，且产生+450或-450相移。 （3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图　　表示放大电路的频率特性。 5.2.1　晶体管的混合 ?模 型 一、完整的混合 ? 模型 5.2 (b)混合? 模型 (a)晶体管的结构示意图 晶体管的高频等效模型 单向化 视为∞ 二、简化的混合π模型 三、混合 ? 模型的主要参数 将混合 ? 模型和简化的h参数等效模型相比较，它们的电阻参数完全相同。 Cμ可从手册中查得Cob ， Cob与Cμ近似相等。 Cπ数据可从手册中给定的特征频率fT和放大电路的Q点求解。 5.4　 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应 C1 Rb +VCC C2 Rc ? + + + Rs + ~ ? + ? 　单管共射放大电路 　　中频段：各种电抗影响忽略，Au 与 f 无关； 　　低频段： 隔直电容压降增大，Au 降低。与电路中电阻构成 RC 高通电路； 　　高频段：三极管极间电容并联在电路中，Au 降低。而且，构成 RC 低通电路。 单管放大电路的频率响应 一、中频电压放大倍数 耦合电容 可认为交流短路，极间电容可视为交流断路。 1. 中频段等效电路 　中频段等效电路 由图可得 b c e + Rb ~ + + + Rc Rs － ~ + + - - 2. 中频电压放大倍数 已知 ，则 　　结论：中频电压放大倍数的表达式，与利用简化h 　　　　　参数等效电路的分析结果一致。 二、低频电压放大倍数 考虑隔直电容的作用，其等效电路： 　　C1 与输入电阻构成一个 RC 高通电路 式中 Ri = Rb // rbe b c e + Rb ~ + + + Rc Rs － C1 输出电压 低频电压放大倍数 b c e + Rb ~ + + + Rc Rs － C1 低频时间常数为： 下限(-3 dB)频率为： 则 对数幅频特性 对数相频特性 因电抗元件引起的相移为附加相移。 低频段最大附加相移为+90度 三、高频电压放大倍数 考虑并联在极间电容的影响，其等效电路： 高频等效电路 b c e + Rb ~ ? + + + Rc Rs 高频等效电路的简化(a) 由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数，故可忽略输出回路的结电容。 用戴维南定理将上图简化。 c e + ~ ? + + Rc — C 与 R ? 构成 RC 低通电路。 ? 高频时间常数： 上限(-3 dB)频率为： 四、波特图 对频率从0到∞的电压放大倍数表达式为 的对数幅频特性和相频特