模拟电子技术 适第3章.pptVIP

本征激发的特点 结论 本征半导体外层电子构成稳定的共价键结构，使原子规则排列，形成晶体。 在本征激发下，能产生少量的载流子，具有微弱的导电作用。 其导电性能具有热敏性，温度越高，载流子的浓度越高，导电能力越强。 结论 本章小结 例 设计一稳压电路，作为汽车用收音机的供电电源，已知收音机工作电源为9V，最大功率0.5W，汽车电源电压范围为12~13.6V，选择合适的稳压管(IZmin、IZmax、VZ、PZM)与电阻(阻值与额定功率)。 收音机 解： ∵ 取：IZmin=5mA ∴ 取2倍以上的保险系数，电阻额定功率取1W 在负载开路且VI最大时，IZ最大： 例 电路如图，设R=180Ω，VI=10±1V,RL=1kΩ,稳压管的Vz=6.8V，IZT =10mA，rz=20Ω，Izmin=5mA,求ΔV0 解： ∵VZ=Vz0+rZIZ 将Vz，IzT代入可求得 Vz0=6.8-20x0.01=6.6V n1 由KCL，得n1节点方程 由KVL，得回路方程 又∵VZ=Vz0+rZIZ (1) (2) (3) 由(1)(2)(3)得： 在VI=9V与VI=11V时可求得Iz，分别为5.95mA与15.78mA， 因而，ΔVo=ΔIZrz=0.2V 例 设硅稳压管DZ1、 DZ2的稳定电压分别为5V、10V，又已知DZ1、 DZ2正向压降为0.7V，求V0 解：(a) DZ1、 DZ2工作在反向击穿区 ? V0 = 5 +10 =15V (b) DZ1、 DZ2工作在正向导通区 ? V0 = 0.7 + 0.7 =1.4V DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (a) DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (b) 由于稳压管稳压值变化较小，定性分析时，通常可看为恒定值。 3.反向饱和电流IS 管子未击穿时的反向电流，随温度变化而变化， 硅管比锗管反相电流更小 O V(V) IS IF I(mA) 反向击穿区 截止区 4.极间电容: 与结电阻处于并联状态，高频工作  时影响较大 包括：势垒电容CB与扩散电容CD 二极管正向工作时主要取决于扩散电容CD： 二极管反向工作时主要取决于势垒电容CB： CD CB P N 8.最高工作频率等 7.反相恢复时间 5.耗散功率Pr 6.正相压降VF 通过外加散热，可提高耗散功率 硅：0.7V， 锗：0.2~0.3V 例、设整流电路的电路如图所示，从表中选择合适的二极管，其中， 80 0.1 0.3 3D 60 0.3 0.3 2D 80 0.6 0.7 1D VBR (V) Pr (W) VF (V) 元件 vi vo + + - - §2.4 二极管基本电路及其分析方法 一、图解分析法 1、将二极管当作负载，由电路求出二极管的负载方 程； vD O iD 在二极管的伏安特性上作负载曲线； Q 3、负载线与伏安特性交点Q，为二极管工作点,对应的电流与电压为二极管工作电流与电压 VD ID + - VD vD O iD ID 1V 0.5V 1mA 0.5mA 例、二极管特性曲线与应用电路如图所示，求二极管vD与iD Q VD ID 解：由KVL方程，得： 因而， 因而， §2.4 二极管基本电路及其分析方法 二、模型分析法 1. 理想模型 4. 小信号模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 vD O iD iD + – vD 正偏时，管子导通正向压降为0； 反偏时，管子截止，电流为0； 1. 理想模型 伏安特性。 2. 恒压降模型 vD O iD (a) iD (b) + – vD 正偏时，正向压降为0.7V(硅) ，(锗约为0.2V)称为导通电压，一般在电流大于等于1mA时比较正确； 反偏时，电流为0。 3. 折线模型 vD O iD (a) 其中，Vth为门坎电压，硅约0.5V，锗约0.1V ? rD的确定。 当iD =1mA，管压降为0.7V。 iD (b) + – vD Vth rD 0.7 = Vth +1·rD= 0.5 + rD rD = 0.2K ?将V-I特性用折线来近似，导通时，有： 4. 小信号模型 当二极管在特性曲线某点Q附近工作时，这时可用Q点的切线来近似V-I特性，切线的斜率的倒数为小信号的微变电阻， 即 图2－14 vD O Q VD ?vD ?iD ID iD 称为静态工作点 几个概念： 直流通路； 交流通路； 静态与动态。 ? 求 rd： 如 I = 2mA时， rd = 13? vD O Q VD ?vD ?iD ID iD ? 工作在线