光电技术郑第2讲.pptVIP

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光电技术郑第2讲

丹倍效应(Dember) 光生载流子扩散运动产生的伏特现象 半导体材料一部分被遮挡,一部分接受光照.受光面产生光生电子和空穴浓度大于小遮光区,载流子浓度差引起载流子向遮光区的扩散运动,电子的迁移率大于空穴迁移率.这样在受光面积累空穴,而遮光区积累电子,产生光生伏特现象.这种由于载流子迁移率的差别产生的伏特现象,称为 N0p0分别为热平衡载流子浓度;Δn0半导体表面处的光生载流子的浓度,μnμp分别为电子和空穴的迁移率. 当以适当频率的单色辐射照射到厚度为d的半导体样品上时,如果材料的吸收系数大于1/d,则背光面相当于遮光面,迎光面产生的载流子远比背光面高.在扩散力的作用下,形成双极性扩散运动,结果半导体的迎光面带正电,背光面带负电.产生光生伏特现象. 光磁电效应 半导体上外加磁场,磁场的方向与光照方向垂直,当半导体受光照产生丹倍效应时,由于电子和空穴在磁场中的运动会受到洛伦兹力的作用,使它们的运动轨迹发生偏转,空穴向半导体上方偏转,电子偏向下方.因此在垂直于光照方向和磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压,称为光磁电场.称为半导体的光磁电效应. 光电牵引效应 当光子与半导体中的自由载流子作用时,光子把动量传递给自由载流子,自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动,结果,在开路的情况下,半导体样品将产生电场,它阻止 载流子运动,称为光子牵引效应. 利用光子牵引效应可以检测低频大功率的CO2激光器输出功率,CO2激光器输出光的波长远远超过激光器锗窗材料的本征吸收长波限,不可能产生光电子发射,但激光器锗窗的两端会产生伏特电压,迎光面带正电,出光面带负电. 室温下,P型锗光子牵引探测器的光电灵敏度为 光电发射效应 当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应. 只有光子能量大于光电发射材料的光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空. 导带 禁带 价带 对于金属材料有: 对于半导体材料,导带中的电子 对于半导体材料,价带中的电子 对于半导体材料,光电发射长波限为: 光电发射器件具有不同于内光电效应的特点: 1、光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动,因此,可以通过电场加速电子运动的动能或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度,使它能够快速探测极其微弱的光信号,成为像增强器与变像器技术的基本单元。 2、易制作大面积均匀的大面积光电发射器件,使其在光电成像器件方面有利于,一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器; 3、光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备,使整个探测器体积庞大,功率损失大,不适于野外操作,造价高; 4、光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体器件宽。 作业: 1、试计算100W标准钨丝灯在0.2sr范围内的光通量; 2、若甲乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为: 比较两厂的光电器件的灵敏度高低。 3、已知本征硅材料的禁带宽度1.2eV,求本征吸收波长。 主讲人:张建寰 教授 单 位:机电工程学院-测控所 2012.04.14 光电技术第二讲 辐射体分类及其温度表示 热辐射体的分类 灰体 若辐射体的光谱辐射出射度与同温度黑体的光谱为辐射出射度之比是与波长无关的系数,则称其为灰体。 系数称为灰体发射率。 选择性辐射体 不服从黑体辐射定律的辐射体,称为选择性辐射体。其光谱发射率为波长的函数,辐射分布曲线可能有几个最大值。 热辐射体的温度表示 辐射温度T 当热辐射体的总辐射通量与黑体的总辐射通量相等时,以黑体的温度标度该热辐射体的温度,这种温度称为辐射温度Te。 色温Tf 当热辐射体在可见光区域发射的光谱辐射分布,具有与某罢休的可见光的光谱辐射分布相同的形状时,以黑体的温度来标度该热辐射体的温度,称为热辐射体的色温。 亮温度Tv 当热辐射体在可见光区某一波长辐射亮度等于黑体在同一波长的辐射亮度时,以黑体的温度来标度该热辐射体的温度,称为亮温度Tv。 以上热辐射体的三种温度标测中,色温与实际工资温度偏差最小,亮温度次之,辐射温度与实际温度的偏差最大.因此,通常以测量色温代表炽热物体的温度. 辐射度参量与光度参数的关系 辐射度学参数与光度参数是从不同角度对光辐射进行度量的参数,在可见光区经常相互使用,它们间存在一定的转换关系,有些光电器件采用光度参数标定 其特性参数,而另一些器件采用辐射度参数标定其特性参数。因此,讨论它们之间的转换是很重要的,掌握了这些转换关系,就可以对用不同度量参数标定的光电器件灵敏度等特性参数进行比较。 人眼的视觉灵敏度 人眼的视网膜上布满了大量的感官细胞,即杆状细胞和锥状细胞。杆状细胞灵敏度高,它能感受微弱光刺激,锥状细胞感光灵敏度低,但能很好地区别颜色和辨别被视物的细节

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