双极型半导体器件高功率微波损伤研究-微电子学与固体电子发学专业毕业论文.docx

摘要摘 摘要 摘 要 本文主要以某典型模拟IC为对象，研究与其内部双极型晶体管同参数的单管。 通过微波注入试验，研究BJT在HPM作用下的失效模式和失效机理。根据研究 BJT模型参数的退化，研究微波对BJT的辐照效应。研究内容主要包括：利用PSpice 对实际器件进行模型参数提取，并仿照测试条件进行电路仿真；对晶体管分别采 用注入法和直接辐照两种方法进行微波损伤试验，讨论不同实验方法对器件影响 的差异：对多叉指结构的双极型晶体管进行微波损伤实验，讨论不同结构器件的 抗辐射特性；对性能退化的BJT进行模型参数分析，通过对比损伤前后的参数变 化讨论微波对BJT的辐照效应；对失效单管进行失效分析，讨论BJT在HPM作 用下的主要失效模式和失效机理。 关键字： 高功率微波双极型晶体管器件模型参数提取失效 ABSTRACTABSTRACT ABSTRACT ABSTRACT This paper is interested in the study of HPM effects and failure mechanism on the bipolar transistor．Based on the HPM injection experiment，the change of BJT，s electronic parameter，failure mode and failure mechanism are studied．PSpiee model is also used to simulate the HPM effects on BJT devices．This paper includes the extraction of the PSpice model parameters of a low noise bipolar，and the simulation results using the model parameters are compared with the experiment result．The difference between two types of experiments is compared．The two types of experiments are the BJT devices exposed to the HPM radiation and HPM injection into the BJT device．The difference between mult-finger type bipolar transistor and normal type bipolar is also compared． Experiment shows that increasing effective area of e．b junction Can enhance the HPM damage threshold．The PSpice model parameters of the damaged bipolar transistor are extracted，and compared with the model parameters before HPM experiments．The physical damage on bipolar devices after HPM injection iS studied by FA．The failure model iS also discussed． Key words：HPM BJT Device model Parameter extraction Failure 西安电子科技大学 西安电子科技大学 学位论文独创性(或创新性)声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 主垂 丝：! 日期趔芝：』：竺 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后