纳米CeO2颗粒制备和其化学机械抛光性能研究.PDF

第 27 卷 　第 1期 摩 擦 学 学 报 Vo l 27, 　No 1 2007 年 1月 TR IBOLO GY J an, 2007 纳米 CeO2 颗粒的制备及其化学机械 抛光性能研究 1 2 2 3 4 李霞章 , 陈　杨 , 陈志刚 , 陈建清 , 倪超英 ( 1. 江苏大学 材料工程学院, 江苏 镇江 　2 12013; 2. 江苏工业学院 材料系 , 江苏 常州 　2 130 16; 3. 河海大学 材料系 , 江苏 南京 　2 10098; 4. 特拉华大学 材料学院, 美国 纽瓦克 　197 16) 摘要 : 以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料制备出不同粒径的纳米 CeO2 粉体颗粒 ,将纳米 CeO2 粉体配制成抛光液并用 于砷化镓晶片的化学机械抛光. 结果表明 ,不同尺寸的纳米磨料具有不同的抛光效果 ,采用粒度 8 nm 的 CeO2 磨料抛 ( ) 光后微观表面粗糙度最低 0. 740 nm ,采用粒度小于或大于 8 nm 的 CeO2 磨料抛光后其表面粗糙度值均较高. 通过 简化的固 固接触模型分析 ,认为当粒度过小时 ,磨料难以穿透软质层 ,表现为化学抛光为主 ,表面凹坑较多 ,表面粗糙 度较高 ; 当粒度大于一定值时 ,随着磨料粒度增加 ,嵌入基体部分的深度加大 ,使得粗糙度出现上升趋势. 提出当磨料 嵌入晶片表面的最大深度等于或接近于软质层厚度时 ,在理论上应具有最佳的抛光效果. 关键词 : 纳米 CeO ; GaA s; 化学机械抛光 ; 磨料粒径 2 中图分类号 : TG356. 28; TH 117. 3 文献标识码 : A 文章编号 : (2007) 0 1000 105 　　随着纳米技术的飞速发展 ,近年来纳米 CeO2 过简化的固 固接触模型对其超光滑表面抛光机理 在气体传感器 、燃料电池 、化学机械抛光以及汽车尾 进行探讨 , 以期为 CeO2 的化学机械抛光应用提供 气净化催化等领域显示出了广阔的应用前景 ,尤其 实验依据. CeO2 作为抛光料的使用已经有很长历史 ,被广泛应 1　实验部分 用于精密玻璃抛光和 UL SI SiO2 介质层的化学机械 抛光 [ 1, 2 ] ,表现出很强的抛光能力 ,陈杨等 [ 3 ]将 CeO2 1. 1　不同粒径 C eO2 纳米颗粒制备 ( ) ( 所用 Ce NO ·6H O、六亚 甲基四胺 简称 作为磨料对硅晶片进行了化学机械抛光 , 得到了粗