Q_Q_320201 DEE 285-2016CW131CS 800V 1A三端双向可控硅.pdf

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无锡华润矽科微电子有限公司企业标准 Q/Q/320201 DEE 285-2016 CW131CS 800V 1A三端双向可控硅 2016-12-19 发布无锡华润矽科微电子有限公司发布自我承诺我司编写并公开的Q/Q/320201 DEE 285-2016《CW131CS 800V 1A三端双向可控硅》规定的内容符合国家有关法律法规、强制性标准及相关产业政策的要求，并按照规定程序由企业法人代表批准发布。我司生产的产品符合本标准规定的各项技术要求，标准编号在相应的产品包装上明示。我司对声明公开信息的真实性、准确性、合法性负责，对本标准实施的后果承担全部法律责任。无锡华润矽科微电子有限公司 2016-12-19 Q/Q/320201 DEE 285-2016 技术指标1 指标名称：断态重复峰值电压指标要求： ≤800V 技术指标2 指标名称：通态均方根电流指标要求： ≤1A 技术指标3 指标名称：控制极触发电流指标要求： ≤5mA 测试方法名称： VD=12V，RL=33Ω 技术指标4 指标名称：控制极触发电压指标要求： ≤1.5V 测试方法名称： VD=12V，RL=33Ω