第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应.PDFVIP

2 章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应 在半导体集成电路问世以前，各种门电路和逻辑部件都是由电阻器、晶体管等分立 元件通过导线或印刷电路板连接成的，这样的电路称为分立电路。半导体集成电路的所 有元件都是制作在同一块基片上的。由于这一特点，决定了集成电路中的每一元件除了 我们所需要的功能外，还附加有寄生效应，如寄生晶体管效应、寄生电容效应等。 双极集成电路是指以通常的NPN 或PNP 型双极型晶体管为基础的单片集成电路， 它是1958 年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底， 平面 工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。本章先从双极集成 电路的具体元件结构以及制造工艺出发，分析双极集成电路的寄生效应，然后介绍减小 乃至消除这些寄生效应的方法。 2.1 双极集成电路的制造工艺 双极集成电路中的基本元件为双极晶体管，其基本工作原理与分立元件中的双极晶 体管相同，但由于集成电路是基于平面工艺的，因此两者 结构和工艺上有所区别。 2.1.1 双极晶体管的单管结构及工作原理 双极型晶体管分为NPN 晶体管和PNP 晶体管，其结构及符号示意图如图2.1 所示。 下面我们重点以NPN 晶体管为例讲述双极晶体管的单管结构及工作原理。 图2.1 双极晶体管结构及符号 双极型晶体管可以看成是两个背靠背连起来的PN 结。晶体管的基区非常薄（大约 1~ 12 m ）。双极型器件中有两种载流子电子和空穴同时参与导电，是一种流控元件。双 极NPN 晶体管单管结构示意图和基于平面工艺的双极晶体管单管结构如图2.2 所示，由 三个区：发射区、基区和集电区，两个结：发射结和集电结构成。 三个区中发射区掺 杂浓度最大，基区次之，集电区最小，并且基区宽度很窄。三个区各自的引出端子构成 了双极晶体管的三个电极：发射极、基极和集电极。 发射极 发射区 发 集 集电区 集电极 + 射 基区P 电 N N 结 结 基极 C B E N P N+ 图2.2 双极型NPN 晶体管单管结构图 双极晶体管正常工作时共分为4 个工作区域：正向放大区、饱和区、反向工作区和 截止区。通过在双极晶体管的三个电极施加不同的电压，可以控制其工作 不同的工作 区域。 如图2.3 所示，当发射结正偏 （ V 0 ）、集电结（V 0 ）反偏时，发射结发射 BE BC 电子，在基区中扩散前进，大部分的电子被集电结反偏收集，此时晶体管工作 正向放 大区。 图2.3 正向工作区 晶体管正常工作时发射结要正偏，集电结要反偏。发射结加正向电压U ，才能使发 E 射区的多数载流子注入基区，形成发射电流；给集电结加上较大的反向电压U ，才能保 C 证发射区注入到基区并扩散到集电结边缘的载流子，被集电区收集形成集电极电流。图 2.4 所示为晶体管工作 该区域时的电流传输示意图，从发射区、基区、集电区的载流 子传输过程可见，载流子的运动分为以下三个过程： I n (X 3) I n (X 4)