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* 5.3 结型场效应管 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 单极型晶体管　 常用于数字集成电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 (Junction type Field Effect Transisstor) 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.1.1 JFET的结构和工作原理 5.1 结型场效应管 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 2.工作原理（以N沟道为例） vDS=0V时 N G S D vDS VGS N N P P iD PN结反偏，VGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ① VGS对沟道的控制作用 VDS N G S D VGS P P iD VGS达到一定值时耗尽区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 VGS继续减小 对于N沟道的JFET，VP 0。 N G S D VDS VGS N N iD VDS=0V时 P P ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? iD ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 N G S D VDS VGS P P 越靠近漏端，PN结反压越大 iD 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 G S D VDS VGS P P iD N ③ VGS和VDS同时作用时 VGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。iD 减小。 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， iD的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 5.3 结型场效应管 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 5.3 结型场效应管 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 5.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 VP 1. 输出特性 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 5.3 结型场效应管 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 5.3结型场效应管 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 1.N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 vGS 0 iD IDSS VP 夹断电压 饱和漏极电流 小结（JFET管） 输出特性曲线 iD vDS 0 vGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 -2V 可变电阻区 夹断区 恒流区 予夹断曲线 击穿区 转移特性曲线 vGS 0 iD IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 2 P沟道结型场效应管 D G S 符号 栅源端加正电压 漏源端加负电压 予夹断曲线 iD v DS 2V vGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 P沟道结型场效应管 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下