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6.3.2 压控振荡器直接调频电路 6.3.3 变容二极管直接调频电路 （Varactor diode direct FM） 2. 变容二极管直接调频的原理电路 3． 调频性能分析 6.4 调频波的解调原理及电路 6.4 调频波的解调原理及电路 1. 鉴频方法 首先将输入调频波通过限幅器变为调频方波，然后微分变为尖脉冲序列，用其中正脉冲去触发脉冲形成电路，这样调频波就变换成脉宽相同而周期变化的脉冲序列，它的周期变化反映调频波瞬时频率的变化。将此信号进行低通滤波，取出其平均分量，就可得到原调制信号。 这种电路的突出优点：线性好、频带宽、便于集成，同时它能工作于一个相当宽的中心频率范围(1Hz-10MHz，如配合使用混频器，中心频率可扩展到100MHz)。 * VCO的特点：瞬时频率随外加控制信号的变化而变化。 VCO 式中：U为振荡信号的振幅， :当 时的振荡频率，k f为:VCO控制灵敏度。 用调制信号电压控制振荡回路的参数，如回路电容C或回路电感L，并使振荡频率ω正比于所加调制信号电压，即可实现调频。 在直接调频法中常采用压控振荡器（Voltage Control Oscillator）作为频率调制器来产生调频信号。 VCO中最常用的压控元件： 变容二极管 由晶体管和场效应管组成的电抗电路。 压控振荡器直接调频：优点：可获得较大频偏.缺点：中心频率稳定性差，常采用自动频率微调（automatic frequency control ，AFC）电路来克服载频偏移。 休息1 休息2 通常有： ，压控振荡器的输出信号即为调频信号。 1. 变容二极管 为利用PN结的电容，PN结应工作在反向偏置状态. PN结反向偏置时，结电容会随外加反向偏压而变化，而专用的变容二 极管，是经过特殊工艺处理（控制半导体的掺杂浓度和掺杂的分布）使势 垒电容能灵敏地随反向偏置电压的变化而呈现较大变化的压控变容元件。 结电容C j与反偏电压uR的关系： 式中Co： 时的电容值（零偏置电容） 反向偏置电压，UD：PN结势垒电位差。 γ ：结电容变化指数，通常γ=1/2—1/3. 可以看出C j与uR之间是非线性关系，即变容二极管属于非线性电容，这种非线性电容基本上不消耗能量，产生的噪声量级也较小，是较理想的高效率，低噪声非线性电容。 休息1 休息2 变容二极管是利用半导体PN结的结电容随反向电压变化这一特性 而制成的一种半导体二极管。它是一种电压控制可变电抗元件。 设在变容二极管上加一个静态工作电压Uo和一个单频调制信号 ，则结反偏电压： 而结电容： 其中： 为静态工作点的结电容。 表示结电容调制深度的调制指数。 休息1 休息2 Cj uR UQ uR t C j t CjQ 为了突出调频性能的分析，下图只画出了它的高频交流等效电路，没有画出直流馈电电路， 图中；C3为高频偶合电容，C4为偶合隔直电容，LD为高频扼流圈，阻止高频电流经过调制信号源,使其旁路，右图为振荡器交流等效电路，C j与振荡器回路并联，R1，R2为C j的偏置电路，为C j提供静态直流偏压 ，而二极管的反偏电压为： 休息1 休息2 + uR - L Cj C1 C2 VT L Cj C1 C2 VT LD C3 C4 EC R2 + uΩ - R1 + Uo - 则 由上电路可知，振荡频率为： ;而 为了简化电路分析，如果设： ，则有 所以：有 其中： 为未加调制信号（ ）时的振荡频率， 即为调频振荡器的中心频率。 讨论：1 设 γ =2 即满足线性调频。 2? 当 则 L C1 C2 Cj VT + uR - （利用级数展开忽略高次项， 可近似为： （2） ：调频波的最大角频率偏移 （3） ：调频波产生二次谐波失真 二次谐波失真的最大角频率偏移 其中：（1） ：调频波会产生中心频率偏移 休息1 休息2 6.4.2 相位鉴频器 6.4.3 比例鉴频器 6.4.1 鉴频方法及其实现模型 调频信号的解调是从调频波 中恢复出原调制信号 过程，完成调频波解调过程的电路称为频率检波器 第一种方法，将调频波通过频率—幅度线性变换网络，将调频波变换成调频—调幅波，再通过包络检波器检测出反映幅度变化的解调电压。把这种鉴频器称为斜率鉴频器，或称振幅鉴频器 。 将调频波进行特定的波形变换，根据波形变换特点的不同，可归纳以下几种实现方法： 6.4.1 鉴频方法及其实现模型 休息1