第5章 磁吹电式传感器.pptVIP

瑞典皇家科学院于2007年10月9日宣布，法国科学家阿尔贝·费尔（右）和德国科学家彼得·格林贝格尔（左）共同获得2007年诺贝尔物理学奖。他们将分享1000万瑞典克朗（1美元约合7瑞典克朗）的奖金。这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了“巨磁电阻”效应。 巨磁电阻效应与诺贝尔奖 巨磁电阻效应（GMR） Antiparallel alignment Parallel alignment 高电阻态 低电阻态 Scaling: Smaller heads, thinner media, lower fly heights Fingerprint Dust Particle Human Hair 75,000 nm Smoke Particle Head Disk Media Head to Media Spacing, 10 nm GMR Head Detail MR GMR  Animation for detail GMR Head Detail GMR in motion * 第五节 磁敏传感器 半导体磁敏传感器是指电参数按一定规律随磁性量变化的传感器, 常用的磁敏传感器有霍尔传感器和磁敏电阻传感器。除此之外还有磁敏二极管、磁敏晶体管等。磁敏器件是利用磁场工作的, 因此可以通过非接触方式检验。非接触方式可以保证寿命长、可靠性高。 图 霍尔效应的原理图 在厚度为d的半导体长方形薄片上形成四个电极, 宽度为w的控制电极①和②之间通直流电流Ic, 而在垂直于半导体薄片表面的方向加磁感应强度B时, 则在长度为l的电极③和④之间根据式(5.4)的原理产生霍尔电压。 5.5.1 霍尔器件及其特性 图 霍尔电压形成的定性说明 (a)磁场为0时电子在半导体中的流动; (b)电子在劳伦兹力作用下发生偏转; (c)电荷积累达到平衡时, 电子在流动 假设霍尔元件使用的材料是N型半导体,导电的载流子是电子。外加电场从电极①到②方向,大小为E。电子在这一电场作用下将从电极②到①方向作漂移运动,它的平均漂移速度为 (5.7) 式中,μ为电子的漂移迁移率或简称为迁移率,它表示在单位电场强度的作用下,电子的漂移速率。迁移率反映了材料中电子的可动程度。不同种类以及不同掺杂浓度的材料中电子迁移率是不同的。 因为电子带的电荷为-e,在磁场作用下,由（5.4）式得劳伦兹力为 (5.8) 因此,劳伦兹力FL的方向是从电极④到③,它的数值就是evB。这个力使电子在电极③上积累,积累电荷在半导体中形成从电极④到③方向的电场EH,称为霍尔电场。在平衡时霍尔电场EH对电子的作用力与劳伦兹力大小相等方向相反而相互平衡,即 (5.9) 所以,霍尔电场强度的大小为 (5.10) 这一电场在电极③到④方向建立霍尔电压UH 或 (5.11) (5.12) 在电子浓度为n时,有 (5.13) (5.14) 代入（5.12）式,得 对N型半导体材料,定义霍尔系数RH为 (5.15) 将(5.15)式写成 或 (5.16) (5.17) (5.18) 在N型材料中 (5.19) KH称为霍尔灵敏度或乘积灵敏度, 单位为mV/mA·T, 它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。 从上面的分析可以看出,霍尔电压正比于控制电流强度和磁感应强度。在控制电流恒定时,霍尔电压与磁感应强度成正比。磁感应强度改变方向时,霍尔电压也改变符号。因此, 霍尔器件可以作为测量磁场大小和方向的传感器, 这个传感器的灵敏度与电子浓度n成反比。半导体材料的n比金属小很多, 所以灵敏度较高。另外,霍尔器件的灵敏度与它的厚度d成反比, d越小, 灵敏度越高。 ? 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。 测量大电流、微气隙磁场、微位移、转速、加速度、振动、压力、流量和液位等。 应用 案例：电流传感器 案例：管道裂纹检测 原理 磁场强度变化检测 在磁场中运动的载流子因受到劳伦兹力的作用而发生偏转。载流子运动方向的偏转起了加大电阻的作用。磁场越强,增大电阻的作用就越强。外加磁场使半导体（或导体）的电阻随磁场的增大而增加的现象称为磁电阻效应。 5.5.2 磁阻（MR）器件 图 电子运动轨迹的偏移 在有霍尔电场存在时, 磁电阻效