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2007/03 北京科瑞思特电子有限公司 晶体频率技术讲座系列晶体谐振器技术关键点 航天科工集团二0三所 北京科瑞思特电子有限公司 BEIJING CRYSTAL ELECTRONICS CO., LTD 晶体谐振器技术讲座 讲座内容 一、晶体谐振器基本原理 二、涉及的公式 三、关键参数 四、工艺对参数影响 五、能陷理论的重要性 一、基本工作原理 1、压电效应 当在绝缘固体上施加压力时，绝缘固体的表面间能够产生电压，同时也能产生一个很小的电流，这就叫压电效应。相反，当电压施加在一个具有压电特性的固体表面时，该固体也可以产生机械变形，这就叫逆压电效应。 晶体谐振器就是利用晶体的逆压电效应特性。 晶体谐振器技术讲座一、基本工作原理 1、?振动模式关系?  晶体谐振器技术讲座 一、基本工作原理 2、晶体谐振器等效电路和阻抗特性 晶体谐振器技术讲座二、重要公式 晶体谐振器技术讲座二、重要公式 串并联间隔 Δf/fs=C1/2C0 静电容： C0=εSe/t 质量因数： Q=1/2πfSC1R1 负载谐振电阻 RL=R1(1+C0/CL)2 晶体谐振器技术讲座二、重要公式 本征（固有）频率fS=(c66/ρ)1/2n/2t 动态电容： C1=fsSe/3.6πn3=kSe/tn2 动态电感： L=1.8n3/fS3Se 能陷公式 Δ1/2nΦe/t2.4 其中： Δ=（fs-fe）/fe 晶体谐振器技术讲座三、重要参数 主要参数 fs fa fL R1 C1 L1 C0 Q 寄生 老化 晶体谐振器技术讲座三、重要参数 关键参数 R1 C1 寄生 老化 原因—使用者关心程度 1、可调性—C1 2、起振性和功耗--R1 3、精确性—Q值（ R1 和 C1 ） 4、长期准确性-- 老化 5、稳定性—寄生 6、选择性--寄生 晶体谐振器技术讲座四、影响重要参数因数 1、?晶体谐振电阻—电导率 泛音次数 电极面积 晶片边比（频率高低） 材料Q值 工艺 研磨质量 边缘质量 膜层厚度 微调孔大小 微调对称否 洁净度（污染) 点胶  晶体谐振器技术讲座四、影响重要参数因数 2、动态电容 泛音次数 电极面积 晶片边比（频率高低） 材料Q值 工艺 研磨平整度 应力 微调量（膜层厚度）大小 微调对称否 晶体谐振器技术讲座四、影响重要参数因数 3、寄生 晶体谐振器技术讲座四、影响重要参数因数 4、老化 晶体谐振器技术讲座三、重要参数解释 5、?负载电容与频率牵引： 在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，称负载电容 当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为： DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为： DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。?  晶体谐振器技术讲座三、重要参数解释 频率牵引量与负载电容的关系(基频） 晶体谐振器技术讲座三、重要参数解释 3、?温度频差 切角 材料 应力?  晶体谐振器技术讲座三、重要参数解释 晶体谐振器技术讲座 一、基本工作原理 能陷理论 输入谐振器随所加信号电压而产生厚度切变振动，晶片因受电极质量负荷的影响，电极区的谐振频率比非电极区的低，使弹性波在两区边界发生反射,从而使绝大部分能量陷落在电极区内， 晶体谐振器技术讲座四、晶体谐振器使用 典型并联谐振电路 晶体谐振器技术讲座四、晶体谐振器使用 抑制基频下的并联谐振电路 感谢！ THANKS 网址： E-mail: export@ Tel/fax: 010邮编:100041 地址：北京石景山区八大处高科技园区双园路9号 * * CRYSTAL