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注意：考試開始鈴響或燈亮前，不可以翻閱試題本 103學年度身心障礙學生升學大專校院甄試試題本 甄試類(群)組別：四技二專組 【電機與電子群電機類、電機與電子群資電類】 考試科目(編號)：專業科目(一) 電子學、基本電學 (C2111)  ─作答注意事項─ 考試時間：90分鐘。 請在答案卷上作答，答案卷每人一張，不得要求增補。 請核對報考甄試類(群)組別、考試科目是否相符。 單選題共 40 題。 電機與電子群電機類、電機與電子群資電類 專業科目(一) 第 PAGE 3 頁，共 SECTIONPAGES \* Arabic \* MERGEFORMAT 7頁 單選題，共40題，每題2.5分 1. 弦波訊號為20sin377t，其頻率約為多少？ (A)60Hz (B)90Hz (C)180Hz (D)377Hz 2. 在室溫時(VT=26mV)，二極體D1工作點之電流IDQ=10.4mA，D1工作點之交流電阻rd約為多少？ (A)1.3Ω (B)2.5Ω (C)32.7Ω (D)65.4Ω 3. 發光二極體之應用電路如圖(一)所示，已知二極體D1與D2之順向電壓(VF)為2V，順向電流(IF)為20mA，電阻R1與R2之歐姆值約多少？ (A)470Ω (B)390Ω (C)270Ω (D)150Ω 圖(一) 4. 在電晶體電路中，已知電晶體之IC與IB分別為3.98mA與20μA，電晶體之α與β分別約為多少？ (A)α=0.985，β=199 (B)α=0.995，β=189 (C)α=0.995，β=199 (D)α=0.995，β=209 5. 電晶體作為開關電路使用時，電晶體操作於何區？ (A)作用區(active region) (B)飽和區(saturation region) (C)截止區(cutoff region) (D)截止區或飽和區 6. 電晶體電路如圖(二)所示，已知VCC=5V、RC=2kΩ、Q1之β=120，當Vi =5V時Q1飽和使VCE = 0.2V，Vi = 0V時Q1截止，求RB之最大值約為多少？ (A)215kΩ (B)270kΩ (C)330kΩ (D)470kΩ 圖(二) 7. 已知電晶體之集極電流與射極電流分別為IC=3.98mA與IE=4mA，電晶體之基極交流電阻rπ約為多少？ (A)1.3kΩ (B)1.8kΩ (C)2.2kΩ (D)2.5kΩ 8. 集極回授共射極放大電路如圖(三)所示，圖中電容器C之主要功能為何？ (A)消除雜訊 (B)增強回授訊號 (C)消除交流訊號之負回授作用 (D)提升回授穩定度 圖(三) 9-10為題組 9. 電晶體放大電路如圖(四)所示，若電晶體Q1之β=199及射極交流電阻re1kΩ，放大電路之電壓增益AV約為多少？ (A)-10 (B)-5 (C)5 (D)10 圖(四) 10.承上題，Q1之基極電流IB約為多少？ (A)IB＝10.5μA (B)IB＝12.5μA (C)IB＝14.6μA (D)IB＝19.5μA 11.電晶體串級放大電路如圖(五)所示，若β1=β2=149，Q1之基極電流IB1約為多少？ (A)17.5μA (B)15.5μA (C)13.5μA (D)10.5μA 圖(五) 12.已知N通道JFET M1之參數IDSS=12mA及VGS(off)=-6V，當VGS=-3V時，M1之互導gm為何？ (A)1mS (B)2mS (C)3mS (D)4mS 13.在增強型N通道金屬氧化場效電晶體(E-MOSFET)M1放大電路中，若M1之導電參數K=1mA/V2，界限電壓Vt=2V，當VGS=4V時M1之ID為何？ (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)4mA 14-15為題組 14.自給偏壓CS放大電路如圖(六)所示，M1之轉換電導為gm，若M1之汲極輸出電阻rdRD，則電路之電壓增益表示式為何？ (A)-gmrS//rd (B)-gmRD (C)gmRS//RG (D)gmRS 圖(六) 15.承上題，若電路中M1的源極電容CS漏接，則電路之電壓增益表示為何？ (A)-gmRD/(1+ gmRS) (B)-gmRD (C)-gmRD/(1+ gmRG) (D)-gmRS 16-17為題組 16.MOSFET放大電路如圖(七)所示，已知M1之界限Vt=2V，導電參數K=2mA/V2，RL=5kΩ，若M1之汲極輸出電阻rd可以忽略，電路之電壓增益為何？ (A)-3 (B)-5 (C)-10 (D)-15 圖(七) 17.承上題，若RL漏接則電路之電壓增益為多少？ (A)-10 (B)-1