光电技术图第3讲.pptVIP

光电技术第三讲 某些物质吸收光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变物质电导率的现象，称为物质的光电导效应。 利用具有光电导效应的材料（本征半导体硅、锗等，杂质半导体、硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导率随入射光度量变化的器件，称为光电导器件或光敏电阻。 光敏电阻具有体积小、坚固耐用、价格低廉、光谱响应范围宽等优点，广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。 光电导器件 光敏电阻的原理与结构 光敏电阻的基本原理 光敏电阻的原理图和符号如图所示。 在均匀具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极，便构成光敏电阻。 当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压后，便有电流流过，用检流计可以检测到该电流。改变照射到光敏电阻上的光度量（如照度），发现流过光敏电阻的电流发生变化，说明光敏电阻的阻值随照度变化。 分类：两大类，本征型半导体光敏电阻和杂质型半导体光敏电阻。 本征型半导体的电子要从价带跃迁到导带需要克服较大的禁带宽度，要吸较大的光子通量，才会形成自由电子空穴对。因此，本征型光敏电阻所能探测的光波长短于杂质型光敏电阻。 杂质型光敏电阻一般用于长波光的探测，例如红外波段、甚至远红外波段辐射探测。 光敏电阻的基本结构 光敏电阻在微弱辐射作用下，光电导灵敏度与光敏电阻两极间的距离的平方成反比。强辐射作用下，灵敏度与两电极间的二分之三次方成反比。因此灵敏度与两电极间的距离有较大的关系。 为提高灵敏度，应尽量缩短光敏电阻两电极间的距离。此为光敏电阻结构设计的基本原则。 三种结构的光敏电阻。 梳状电极 蛇形光敏面的 刻线式光敏材料加电极 典型的光敏电阻 CdS光敏电阻 该电阻是最常见的光敏电阻，其光谱响应特性接近人眼的光谱光视效率V(λ)，可见其在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此被广泛应用于灯光自动控制，以及照相机的自动测光等方面。 CdS光敏电阻制备方法：蒸发、烧结或粘接 一般会将CdS与CdSe配合使用。或在CdS中加入Cu或Cl，使其同时具有本征和杂质半导体器件的特性。使光敏电阻的探测范围向红外波段延伸，峰值响应波长也延长。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52um， CdSe光敏电阻的峰值响应波长为0.72um，通过调整S和Se的配比，使光敏电阻的峰值响应变化，达到与人眼相近的波长。 CdS光敏电阻一般制成蛇形光敏面结构。 下表一列出了该光敏电阻的特性参数。 PbS光敏电阻 是近红外波段最灵敏的光电导器件。 采用蒸发或化学沉积方法制备，多制成厚度为um量级的多晶或单晶膜。 PbS的峰值响应波长在2um，常用于火灾等探测。 PbS的响应范围及比探测率等特性与工作温度有关，随着工作温度的降低，其峰值响应波长和长波限向长波方向移动，且比探测率增加。 室温下：1-3.5um,峰值 波长为2.4um 195K时，1-4um,峰值波长达到2.8um InSb光敏电阻 波长范围为3-5um的主要探测器件之一， 单晶材料制备，工艺成熟，切片，磨片，抛光后，腐蚀减薄。 大面积器件适合制作成阵列 室温下长波限可达7.5um，峰值波长在6um 77K时，长波限缩短至5.5um，峰值波长也移至5um。恰 为大气窗口。 Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 该系探测器件是目前所有红外探测器件中性能最优良且最有前途的探测器件，尤其是对于4-8um的大气窗口探测更为重要。 该材料是由HgTe和CdTe两种材料制备的，其中x标明Cd元素含量的成分多少。不同的含量可以得到不同的禁带宽度，从而制造出不同波长响应的探测器件。 光敏电阻的基本特性 光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件，其特性与其他光电器件的差别表现在它的基本特性参数上。光敏电阻的基本特性参数包括光电特性，伏安特性，温度特性，时间响应，噪声特性等。 光电特性 暗电导：光敏电阻在黑暗室温条件下，由于热激发产生载流子使其具有一定的电导。 暗电导一般很小 光电导：当有光照射光敏面上时，电导将变大，称为光电导 光敏电阻的光电特性:电导随光照量变化越大的光敏电阻，其灵敏度越高，这个特性称为光敏电阻的光电特性 除两种极端光照条件:弱和强外，还有一般照射条件下，电导随光照变化的情况。 可用在恒定电压下流过光敏电阻的电流与作用其上的光照度E的关系曲线来描述。 由线性渐变为非线性。 恒压下，光电流为： 弱辐射条件下，r=1，强辐射时r=0.5，r为光电转换因子。 伏安特性 光敏电阻的本质是电阻，符合欧姆定律，因此具有与普通电阻相似的伏安特性，但是它电阻值是随入射光量的变而变化的。 测出不同光照条件下加在光敏电阻两端电压U与流过其电流I的关系曲线，称为光敏电阻的伏安特性曲线。 虚线为允许功耗线或额定功耗线，使用时，设计光敏电阻的变换电路时，使光敏电阻工作在虚线范围内。 温度特性 光敏电阻为多数载流子导电的光电器件。温度特性复