光电检测器件铭的类型复习.ppt

光电检测器件的类型 光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件. 光电检测器件分为两大类: 光子(光电子)检测器件 热电检测器件 光电器件分类及特点 4.1 光电器件的性能参数 响应特性 噪声特性 量子效率 一、响应特性 １．响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。 响应度是随入射光波长变化而变化的 响应度分电压响应率和电流响应率 ４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 脉冲响应特性 上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%~90% 下降时间tf ：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 90%~10% ６、噪声等效功率(NEP) 定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率 这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流） 一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。 NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。 第二节 光电发射器件 光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。 一、光电效应及元件 用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率γ，即E=hγ）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。 分类： 外光电效应 光导效应 光生伏特效应 （一）外光电效应 外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。 元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。 E=hγ=mυ2/2 +A 1．光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用γ0表示。 γ0=A/h  若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。 E=hγ=mυ2/2 +A 2．当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。 3．光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量hγ越大，则电子的初动能越大。 光电倍增管(PMT) 光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为光电发射和电子倍增两个过程。 ——把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电探测器件。 光电倍增管使用注意要点 不宜用强光，容易引起疲劳 额定电压和电流内工作 入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应 电场屏蔽和磁屏蔽 测交变光时，负载电阻不宜过大 光电导效应 定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。 光敏电阻 利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。 光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。 工作机理： 当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。 光敏电阻分类 本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。 7、暗电阻和暗电流： 光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，一般情况下，暗电阻都大于10兆，受光照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越大，灵敏度越高。 8、前历效应： 光敏电阻的应用 基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。 基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。 三种主要的热电效应 温差电效应：温差产生电动势 热电偶和热电堆 电阻温度效应：辐射引起电阻率变化 测辐射热计(Bolometer) 热释电效应 ：辐射变化引起表面电荷变化 热释电探测器 二、热电探测器的特点 原理：基于光辐射与物质相互作用的热电效应制作的器件。 入射辐射-器件温升-材料参量变化。 优点：大部分不需制冷、在很宽的光谱波段有平坦的响应两大持点。 缺点：探测率较低和时间常数较大。要同时获得灵敏度高、响应快的性能