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〈集成电路设计基础〉 《集成电路设计基础》 山东大学 信息学院 刘志军 上次课内容 第6章 集成无源器件及SPICE模型 §6.1 引言 § 6.2 薄层集成电阻器 § 6.3 有源电阻 § 6.4 集成电容器 § 6.5 电感 § 6.6 互连线 § 6.7 传输线 第7章 晶体管的SPICE模型 § 7.1 引言 § 7.2 二极管及其SPICE模型 § 7.3 双极型晶体管及其SPICE模型 § 7.4 MOS场效应管及其SPICE模型 § 7.5 短沟道MOS场效应管BSIM3模型 § 7.6 模型参数提取技术 § 7.1 引言 上一章主要介绍无源元件R、L、C的模型。 集成电路主要是由晶体管组成的，本章主要介绍晶体管等效电路模型。 半导体器件模型 半导体器件模型有： 器件的物理模型 器件的等效电路模型 半导体器件物理模型 半导体器件物理模型是从半导体基本方程出发，对器件的参数做一定的近似假设，而得到的有解析表达式的数学模型 。 半导体器件等效电路模型 半导体器件等效电路模型在特定的工作条件下，把器件的物理模型用一组理想元件代替，用这些理想元件的支路方程表示器件的物理模型。 半导体器件在不同的工作条件下将有不同的等效电路模型。例如直流模型、交流小信号模型、交流大信号模型、瞬态模型等是各不相同的。 § 7.2 二极管及其SPICE模型 器件的电子噪声 所谓电子噪声是指电子线路中某些元器件产生随机起伏的电信号。这些信号一般是与电子（或其它载流子）的电扰动相联系的。 一般包括：热噪声（白噪声）和半导体噪声。半导体噪声包括散弹噪声、分配噪声、闪烁噪声（1/f噪声）和场效应管噪声。 二极管的噪声模型 热噪声 ： § 7.3 双极型晶体管及其SPICE模型 双极型晶体管模型： （1） Ebers-Moll（即EM）模型 ——Ebers和Moll于1954年提出 （2）Gummel-Poon（即GP）模型 ——Gummel和Poon 于1970年提出 § 7.4 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管的模型描述带来了困难。模型越复杂，模型参数越多，其模拟的精度越高。但高精度与模拟的效率相矛盾。依据不同需要，常将MOS模型分成不同级别。SPICE2中提供了几种MOS场效应管模型，并用变量LEVEL来指定所用的模型。 LEVEL＝1 MOS1模型 ? Shichman-Hodges模型 LEVEL＝2 MOS2模型 ? 二维解析模型 LEVEL＝3 MOS3模型 ? 半经验短沟道模型 LEVEL＝4 MOS4模型 ? BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型 MOS1模型 MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流-电压的平方率特性，它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。适用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。 MOS1模型器件工作特性 MOS1模型器件工作特性 MOS1模型衬底PN结电流公式 MOS2 模型 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS3 模型 MOS3 模型 MOS3 模型 MOS3 模型 下次课：第8章 集成电路设计仿真程序SPICE § 8.1 电路仿真与SPICE § 8.2 电路描述语句 § 8.3 电路特性分析和控制语句 § 8.4 基于SPICE核的工具软件 本节课结束（1~52） 谢谢！ （7）弱反型导电 MOSFET并不是一个理想的开关，实际上当VGS＜VTH时在表面处就有电子浓度，也就是当表面不是强反型时就存在电流。这个电流称为弱反型电流或次开启电流。SPICE2中定义一个新的阈值电压VON，它标志着器件从弱反型进入强反型。当VGS＜VON时为弱反型，当VGS＞VON时，为强反型。 在弱反型导电时，漏源电流方程为： MOS3模型是一个半经验模型，适用于短沟道器件，对于沟长?2?m的器件所得模拟结果很精确。在MOS3中考虑的器 件二阶效应如下： （1）漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静 电反馈效应； （2）短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响； （3）载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应； （4）表面电场对载流子迁移率的影响。 MO