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晶体管放窝大设计

晶体管放大器设计 一、学习要求 学习晶体管放大电路的设计方法; 掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法; 掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装与调试技术。 了解负反馈对放大电路性能的影响。 学习用pSpice软件对电路进行模拟仿真。 二、设计课题 单级阻容耦合晶体管放大器设计 三、电路设计流程 四、共射放大器原理与设计举例 2、电路参数的确定: 2、电路参数的确定: 2、电路参数的确定: 3、设计举例 解:(1) 拟定电路方案 (2) 设置Q点并计算元件参数 (2) 设置Q点并计算元件参数 (2) 设置Q点并计算元件参数 (2) 设置Q点并计算元件参数 (3) 画出电路带参数的电路图 五、电路安装与调试 1. 静态调试:Q点测量与调整 1. 动态调试:Q点测量与调整 2. 动态调试:Q点测量与调整 六、主要性能指标及其测试方法 六、主要性能指标及其测试方法 六、主要性能指标及其测试方法 六、主要性能指标及其测试方法 六、主要性能指标及其测试方法 六、主要性能指标及其测试方法 BW 的测试方法: 七. 电路参数修改 七. 电路参数修改 七. 电路参数修改 七. 电路参数修改 七. 电路参数修改 七. 电路参数修改 八、实验步骤与要求 八、实验步骤与要求 八、实验步骤与要求 3、负反馈对放大器性能有何影响? 电流串联负反馈放大器 实验表明,RF取几十欧姆,可以明显地提高放大器的输入阻抗,降低放大器的下限频率,改善非线性失真。 * 二、设计课题 一、学习要求 三、电路设计流程简介 六、主要性能指标及其测试方法 五、电路安装与调试 七、电路参数修改 单级阻容耦合晶体管放大器设计 四、共射极放大器原理与设计举例 八、实验步骤与要求 晶体管放大器设计 已知条件 +VCC=+12V RL=2k? Vi=10mV(有效值) Rs=50? 技术指标要求 AV>30 Ri>2k? Ro<3k? fL<20Hz fH>500kHz 电路稳定性好。 提出设计指标 拟定电路方案 设定器件参数 电路安装和调试 结果测量 指标满足要求 电路设计结束 Y 修改电路方案 修改电路参数 是否要修改电路方案 Y N N 三极管放大器中广泛应用的是分压式射极偏置电路。电路的Q点稳定, Q点主要由RB1、RB2、RE、RC及+VCC所决定。 温度T ? ? IC? ? IE? IC? ? VE?、VBQ不变 ? VBE ? ? IB? (反馈控制) 若I1 IBQ , VBQ VBE 1、工作原理 工作点稳定的必要条件: I1IBQ ,VBQVBE 一般取 RE愈大,直流负反馈愈强,电路的稳定性愈好。一般取 设计小信号放大器时,一般取 ICQ = (0.5~2)mA, VEQ = (0.2~0.5)VCC RC由RO或AV确定: RC ≈ RO 或 RC 如果放大器下限频率fL已知,可按下列表达式估算电容CB、CC和CE: 通常取CB = CC,用上面两式算出电容值,取较大的作为CB(或CC)。 例 设计一阻容耦合单级晶体管放大器。 已知条件 +VCC=+12 V RL=3 k? Vi=10 mV(有效值) Rs=600 ? 技术指标要求 AV>40 Ri>1 k? Ro<3 k? fL<100 Hz fH>100 kHz。 选择电路形式及晶体管 采用分压式射极偏置电路,可以获得稳定的静态工作点。 因放大器上限频率fH100 kHz,要求较高,故选用高频小功率管3DG100,其特性参数 ICM=20mA,V(BR)CEO≥20V,fT ≥ 150MHz 通常要求 的值大于AV的值,故选 要求Ri?1kΩ,而 取ICQ = 1.5 mA 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 若取VBQ = 3V,得 取标称值,RE=1.5 kW 因 , 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 为使静态工作点调整方便,RB1由30kW固定电阻与100kW电位器相串联而成。 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 综合考虑,取标称值,RB=1.5 kW。 因 ICQ=1.5mA, 要求AV40, 由 得 计算电容为: 取标称值,CC = CB = 10mF 取标称值,CE = 100mF 根据上述设计,得到放大器的电路图如下: 首先在面包板上组装好电路,参考上图搭接好实验测试平台。 然后进行电路调试: 静态调试 动态调试 (1)接通电源,将电路输入端接地,测量电路的静态工作点。 (2)用万用表直流电压档,分别测量晶体管的B、E、C极对地电压VBQ、V

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