微电子第四锁章 集成电路设计.pptVIP

第四章 集成电路设计 4.1 集成电路中的无源元件与互连线 4.2双极集成电路器件和电路设计 4.3MOS集成器件和电路设计 4.4 双极和MOS集成电路比较 4.1 集成电路中的无源元件与互连线 4.1.0引言 4.1.1电容器 4.1.2电阻器 4.1.3 集成电路中的电阻模型 4.1.4 集成电路互连线 4.1.0引言 集成电路的无源元件主要包括电阻、电容和电感(一般很少用)。无源元件在集成电路中所占面积一般都比有源元件(如双极晶体管、MOSFET等)要大。因此，在设计集成电路中应尽可能少用无源元件．尤其是电感和电容以及大阻值的电阻。如果有些非用不可，也可作为外接元件处理。集成电路中主要的无源元件如下所示： 4.1.1电容器 1．MOS电容器 图4.1为MOS电容结构图。MOS电容器的电容量为： 式中， 为薄氧化层厚度；A为薄氧化层上金属电极的面积。在半导体一侧的P型衬底上扩散一层层，其目的是减小MOS串联电阻以及防止表面出现耗尽层。从(4.1)式可知，要提高电容量可以通过增大面积A和减小氧化层厚度 两个措施。 MOS结构电容 MOS结构电容 MOS结构电容 4.1.1电容器 一般在与集成电路工艺兼容情况下， 不可能做得很薄。因此，提高电容量只能以增大面积作为代价。在集成电路中，制作一个30pF的电容器，所用MOS电容