模拟实验2晶希体管测试.pptVIP

实验二 晶体管的测试 一、实验目的 二、实验原理 1. 晶体二极管的主要参数 2．稳压二极管主要参数： 三、晶体管主要参数 4．场效应管的主要参数 （二）使用万用电表电阻档测量晶体管： 数字式万用表 数字式万用表外形图 （1）使用指针式万用表： （2）用数字式万用表测试二极管 2．稳压管的测量： 2．发光二极管LED的测量： 4．三极管的测量： 三极管的测试方法 （3）测量三极管是否损坏： （4）区分发射极和集电极： 5．结型场效应管的测量 （三）使用“晶体管特性图示仪”测量晶体三极管参数。 晶体管图示仪工作原理 二极管伏安特性的测试原理 三极管输出特性的测量 输出特性曲线的生成 三极管测试的原理 实验内容 （二）使用指针式万用表测量稳压二极管。将测量结果记入表2.2 。 （四）使用万用表测量三极管。 *（五）学习晶体管特性图示仪的使用方法，测量并记录数据。 三极管损坏，是因为PN结损坏。损坏的PN结或者是正、反向电阻都趋于零，或正、反向电阻都无穷大，由此可以判别三极管是否损坏。 图2.6 三极管测量 用指针式万用表： ① 首先确定基极和极性 ② 在另外两个极中假定一个是c，另一个是e ③ 在假定c、e间连接万用表，注意表笔极性。 ③ 如果假定是正确的，则导通电阻小。 使用数字式万用表 使用数字万用表来区分集电极和发射极十分方便。仍然需要先测出被测管的极性与基极。然后将数字表旋钮对准HFE档，将被测管按假定的e、c插入数字表的“三极管测量插座”中，其中基极和三极管的极性 （NPN或PNP）必须正确，观察并记录数字显示的被测管HFE值；交换假定的c、e之后再测一次。两次测量中数值大的一次为正确插入。由此判断出被测管的e和c。 使用指针式万用表Ω×1K档或数字万用电表档。 （1）找出栅极：栅极与其它两个极之间有单向导电性，而漏、源极之间正反向电阻相等。由此区分栅极。 （2）判断管子极性：根据栅极的单向导电性，可以判断管子是N沟道型或P沟道型。 （3）判断管子好坏：将表笔连接在已测出的源极和漏极上，观察并记录读数，这个数值越小，说明场效应管的导通电阻（Ron）越小；然后用手捏住栅极，万用表读数会有改变，数值变化越大，说明管子的放大倍数（跨导gm）越大。Ron小、gm大的管子质量好。 图2.7 N沟道结型场效应管结构 “晶体管特性图示仪”是一种可以设定测试条件，定量显示被测管“输入特性”和“输出特性”的电子设备，测试项目多、测量结果准确。只要了解其工作原理，使用起来并不复杂。使用“晶体管图示仪”测试晶体三极管之前，必须预先了解被测管的极性和管脚（根据元件型号查阅手册或用万用表测得）。“晶体管图示仪”的工作原理和使用方法在附录部分有详细介绍。 基极电流源单元 测试电源单元 测试台 放大单元 显示单元 C B E X轴 — 0.1V∕度 Y轴 — 1mA∕度 图3.6.4 三极管输出特性曲线 图3.7.1 XJ4810型半导体管特性图示仪原理框图 图3.6.5 基极阶梯信号 图3.7.3 基极阶梯信号与集电极扫描电压工作原理 （一）使用万用电表电阻档测量二极管正、反向电阻，并将测量结果记入表2.1 。 * 1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应 管的主要参数。 2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。 3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。 （一）晶体管的主要参数： 晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。 （1）最大整流电流 IF ：二极管长期运行时允许通 过的最大正向平均电流，由手册查得。 （2）正向压降 VD ：二极管正向偏置，流过电流为 最大整流电流时的正向压降值，可用电压表 或晶体管图示仪测得。 （3）最大反向工作电压 VR ：二极管使用时允许施 加的最大反向电压。可用电压表或晶体管特 性图示仪测得反向击穿电压 V(BR) 后，取其 1∕2即是。 手册上参数的定义与符号与教科书上的略有差异。 （4）反向电流 IR ：二极管未击穿时的反向电流 值。可用电流表测得。 （5）最高工作频率 fM ：一般条件下较难测得， 可使用特性手册提供的参数。 （6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显 示二极管的特性。由晶体管特性