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§7.6 半导体磁敏器件 霍尔传感器 霍尔器件的优点 结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便 功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动 不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 精度高、线性度好 开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级） 工作温度范围宽（－55℃－150℃ ） 应用领域 直接应用：直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性 间接应用：检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。 霍尔效应 灵敏度 霍尔元件的主要技术参数 额定功耗P0 霍尔电势温度系数α 霍尔器件应用中的问题 零位误差及补偿方法 温度误差及其补偿 在温度影响下，元件输出电阻从Rt0变到Rt，输出电阻Rt和电势UHt应为 Rt＝Rt0 (1+βt)；UHt＝UHt0 (1+αt)，式中β、α为霍尔元件的输出电势UHt和输出电阻Rt的温度系数。此时RL上的电压则为： 磁阻效应 磁敏电阻 磁敏电阻大小与器件形状是相关的。 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度影响较大。 磁敏二极管和磁敏三极管 霍尔元件和磁敏电阻均是用N型半导体材料制成的体型元件。磁敏二极管和磁敏三极管是PN结型的磁电转换元件，它们具有输出信号大、灵敏度高、工作电流小和体积小等特点，它们比较适合磁场、转速、探伤等方面的检测和控制。 磁敏二极管的主要特性 温度补偿方法 磁敏三极管 磁敏三极管的主要特性 磁敏MOSFET 在MOSFET的沟道电流方向加垂直的磁场，根据霍尔效应在垂直电流和磁场的方向上，将产生霍尔电压。据此，在普通的MOSFET沟道两侧设置一对霍尔电极，可制成磁MOSFET。 当器件结构确定，在一定的磁场下，霍尔电压与磁场呈线性关系。 集成磁敏传感器及应用 将磁敏器件、信号放大器和温度补偿电路等集成在同一芯片上形成集成磁敏传感器，其主要分成开关电路和线性电路。 §7.7 半导体致冷器 半导体致冷器是一种新型的换能器件，通过这种器件可将电能直接转换为热能。 半导体致冷工作原理 帕尔帖(Peltier)效应 器件结构 器件特性参数 致冷系数 产品参数 磁通量测量电路，用于非接触电流表 （a) 单OC输出 (b)双OC输出 霍尔开关电路 汽车ABS系统 加速度测试 液位测量 各种转速 电网平衡 逆变相位控制 半导体致冷器是一个纯固态冷源，既能致冷，又能加热，而且还能反向使用－即温差发电。 半导体致冷器具有无污染，体积小、重量轻、长寿命等优点。 但他也具有它的弱点：产冷量低、单位产冷量的造价高，需要直流电源等因素的限制。 半导体致冷器应用： 1、军事方面：导弹、雷达、潜艇等； 2、医疗方面：冷刀、冷台、白内障摘除器等； 3、专用装置方面：电脑、石油低温测试仪等； 4、日常生活方面：空调、冷暖保温箱、饮水机等。 优点和应用 当直流电通过两种不同导电材料所构成的回路时，接点上将产生吸热或放热的现象。 原理 载流子在金属和半导体中有不同的势能，当载流子流过金属和 半导体联结点时，会存在能量交换。由于金属中电子的势能低于N型半导体中电子的势能，因此在1点，电子流从半导体流向金属时会放出热量，1点金属温度升高；2点电子流从金属流向半导体时会吸收热量，2点金属温度下降；金属中空穴的势能也低于P型半导体中空穴的势能，同理，3点金属温度下降，4点金属温度上升。 单极电堆 并联多极电堆 消耗单位电功率W0所能产生的致冷量Q0： 优值系数 优值系数影响半导体致冷器的最大温差，优值系数越大，获得的温差越大。 ? 型? 号 最大电流ImaxA 最大温差 △Tmax 最大电压 Vmax 最大产冷 功率Qcmax ?元件 对数 外形尺寸L.B.H（mm） TES103101 1 67 3.87 2.59 31 15×15×3.9 TES107101 1 67 8.6 4.9 71 23×23×3.9 TES112701 1 67 15.4 8.7 127 30×30×3.9 TES103102 2 67 3.87 4.3 31 15×15×3.8 TES107102 2 67 8.6 9.8 71 23×23×3.8 TES112702 2 67 15.4 17.5 127 30×30×3.8 TES103103 3 67 3.75 6.3 31