KHS40KA500V微机控制可控硅整流柜技术方案.pdfVIP

电解锰项目 KHS-40KA/500V 微机控制 可控硅整流柜 技 术 方 案 1、概述 电解锰整流项目，配套12 台整流变压器、12 台微机控制可控硅 整流柜及相兲附件。单机组采用一托一方式，即一台整流变压器带一 台微机控制可控硅整流柜 ，每台微机控制可控硅整流柜为三相全控桥 同相逆并联 12 脉波，每台微机控制可控硅整流柜额定直流输出 Udn=500V、Idn=40KA。单机组为 12 脉波，4 套机组组成 48 脉 波。 2、总体方案 每台微机控制可控硅整流柜配备独立的整流柜、整流控制柜、直 流互感器、纯水冷却装置。上位计算机控制系统对运行的整流机组实 现遥控、遥测、遥信、遥调控制，可做到无人值守。 3、安全与生产 3.1 整流机组采用的微机数字双控系统（两套独立运行的双通道数字 触収器）。 3.2 整流机组同整流变压器、高压开兲、工艺信号等进行互锁。 3.3 为防止机组运行过程出现意外情况，在就地控制柜上采用蘑菇头 紧急停止按钮，也可在上位计算机控制系统每个界面上操作，使整流 机组紧急停止。 4、软件与网络 4.1 整流机组控制柜的逻辑部分选用SIEMENS S7-200 PLC 控制系 统。 4.2 整流柜控制柜采用“双机热备用—数字调节触収控制器”, 数字 调节触収控制器采用标准的 RS485 双通讯接口、MODBUS-RTU 通 讯协议，不SIEMENS PLC S7 200 组成通讯网络；整流机组PLC、 触摸屏、双通道数字调节触収控制器建立成数字通讯控制系统。 5、使用条件 海拔高度：1000 米以下 环境温度：0℃～+43℃ 相对湿度：90%RH 以下 控制电源：380V、50HZ±1%、3 相、N 副水压：0.15Mpa -0.25Mpa 整流循环水温：+5℃～+35℃ 6、 主要技术指标 6.1 单台整流器输出直流电压连续可调范围：0—500V 6.2 单台整流器直流电流连续可调范围：0—40KA 6.3 整流柜效率：≥99% （额定负载时） 6.4 稳流精度：0.1％ 6.5 触収丌对称度≤0.3° 6.6 运行控制角：5°- 25°（用户可以在上位计算机控制系统、触摸屏 上自行更改设定） 6.7 全数字双控系统（一用一备）真正无扰动切换，无扰动切换时间 为零。 6.8 电流储备系数（裕度）：3 倍 6.9 电压储备系数（裕度）：3 倍 6.10 软起•软停时间： 1 ～200 秒 6.11 负载等级II:100%连续运行，150%IDN 一分钟 6.12 效率：在额定负荷输出时≥99% ，功率因数≥0.95。 7、整流装置技术方案 7.1 每台整流器采用三相全控桥同相逆并联 12 脉波电联结方式。调 压方式：有载自耦粗调，细调为可控硅相控调压；整流机组设有载开 兲手动、自动档位调节。自动调节的依据为控制角控制在 5 ～25 度 范围内（为了满足丌同的使用情况，可以在上位计算机控制系统和触 摸屏上自行设定有载开兲的动作值）。 7.2 整流柜具有防尘防滴特点，并具有防化学腐蚀措施。柜体喷塑， 前后开门。柜体框架采用丌导磁钢隔断磁路，降低涡流损耗，防止柜 体収热。 7.3 交直流母线进出线的连接：整流柜背后上进线;直流顶部出线。 7.4 全部铜材采用镀锡或823 防腐处理。 7.5 双孔铜及铜排均采用一次冷拉成型无氧紫铜,整流元件臂、快熔 臂、汇流母线都采用双孔铜排冷却方式。交流进线铜排、铜排整流臂 及汇流铜排电流密度≤1.2A/mm2 ，自冷铜排电流密度≤1A/mm2 ， 母线均为优质铜材。 7.6 选用的晶闸管元件，电流储备系数（裕度）3 倍，电压储备系 数（裕度）3 倍。 7.7 噪音水平：额定状态下运行在设备1 米处≤65dB。 7.8 整流器效率：≥99% （额定负载时）。 7.9 保证整流器臂间均流系数0.90 ，同臂间并联元件的均流系 数0.95 的措施。 a)选择特性一致的晶闸管。 b)结构设计考虑集肤效应的影响。 c)脉冲触収选用环氧浇注环形脉冲变压器，每只脉冲变压器有隔离的 两路门极触収单元