图像传感器集成微仍透镜阵列设计.docVIP

南昌航空大学科技学院2014届学士学位论文 PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT 1 1绪论 1.1、CCD 的发展现状 自从 1970 年美国贝尔实验室研制成功第一只电荷耦合器件(CCD)以来，依靠业已成熟的 MOS 集成电路工艺，CCD 技术得以迅速发展【2】。CCD 图像传感器作为一种新型光电转换器现已被广泛应用于摄像、图像采集、扫描仪以及工业测量等领域。作为摄像器件，与摄像管相比，CCD 图像传感器有体积小、重量轻、分辨率高、灵敏度高、动态范围宽、光敏元的几何精度高、光谱响应范围宽、工作电压低、功耗小、寿命长、抗震性和抗冲击性好、不受电磁场干扰和可靠性高等一系列优点【5】。其应用领域也极其广泛，涉及到航天、航空、遥感、卫星侦察、天文观测、通讯等众多领域。 CCD 图像传感器经过近 30 年的发展，目前已经成熟并实现了商品化。CCD 图像 传感器从最初简单的 8 像元移位寄存器发展至今，已具有数百万至上千万像元【12】。由于CCD 图像传感器具有很大的潜在市场和广阔的应用前景，因此，近年来国际上在这方面的研究工作进行得相当活跃，美国、日本、英国、荷兰、德国、加拿大、俄罗斯、南韩等国家均投入了大量的人力、物力和财力，并在 CCD 图像传感器的研究和应用方面取得了令人瞩目的成果【1】。美国和日本的器件和整机系统已进入了商品化阶段。 CCD 的发展趋势是高分辨率、高速度和微型化。从 1993 年德州仪器公司报道 1024×1024 像元 CCD 开始，目前 CCD 像元数已从 100 万像元提高到 2000 万像元以上。福特空间公司还推出了 2048×2048、4096×4096 像元帧转移 CCD。在摄像机方面，日电公司制成了 4096×5200 像元的超高分辨率 CCD 数字摄像机，分辨率高达1000×1000 条 TV 线。加拿大达尔萨(Dalsa)公司报道了 5120×5120 像元帧转移 CCD【10】。荷兰菲利浦成像技术公司研制成功了7000×9000像元CCD。1997年美国EG＆G·Retion研制出 6144×6144、8192×8192 像元高分辨率 CCD 图像传感器。亚利桑那大学报道了9126×9126 像元 CCD，1999 年欧洲南部天文开发成功 8184×8196 像元多光谱、宽视场 CCD 摄像器件，并计划在 2001 年开发出 16000×16000 像元的 CCD。1998 年日本采用拼接技术开发成功了 16384×12288 像元即(4096×3072)×4 像元的 CCD 图像传感器【8-9】。目前美国、日本、德国和法国的部分公司已开发出长线阵和大面阵可见光 CCD图像传感器。另外，法国、美国和日本的部分公司还研制出具有多针相模式工作的CCD(即 MPP－CCD)图像传感器。 国内 CCD 图像传感器的研制工作也在稳步地进行。目前第一代普通线阵 CCD 图 像传感器(光敏元为 MOS 结构)和第二代对蓝光响应特性好的(光敏元为光电二极管阵列)CCPD 均已形成 128、256、512、1024、1728、2048、2500 像元的系列产品在实验室已做出了 3456、4096 像元的 CCPD 样品；面阵 CCD 图像传感器已研制出 256×320、512×320、491×384、580×394、512×512、600×500、756×581、800×800 像元器件。在实验室已研制出了 1024×1024，2048×2048像元的器件，基本上形成了系列化产品【2-3】。随着器件性能的改进，CCD 摄像机也将得到迅速发展。 除可见光 CCD 图像传感器外，国内目前还研制出了线阵 64、128、256、1024 像 元和面阵 32×64、128×128、256×256 像元硅化铂肖特基势垒红外 CCD(PtSi IRCCD)【6】。目前国内正在研制和开发的 CCD 有：512×512 像元 X 射线 CCD、512×512 像元光纤面板耦合CCD像敏器件、512×512像元帧转移可见光CCD、1024×1024像元紫外CCD、1024 像元 X 射线 CCD、 512×512 像元 PtSi IRCCD、微光 CCD 和多光谱红外 CCD等【9】。但由于受经费、设备等因素影响，国内 CCD 图像传感器的研究进展尚不够迅速，目前还没有生产能力，与国际先进水平相比差距很大。就 CCD 的应用潜力而言，也最多不过发挥了 1％左右。据悉，信息产业部下属研究所目前已从美国和俄罗斯引进可见光和红外 CCD 芯片生产线并开展试验工作，这将大大促进我国 CCD 芯片的产业化进程【15】。 1.2、微透镜及阵列