场效应器件洗物理1-4频率5cmos.ppt

半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 第11章 MOSFET基础 11.4 频率限制特性 11.5 CMOS技术　11.6小结 1.4 频率特性 模型参数 模型参数：描述等效电路中各元件值所用的参数。 与IDS相关的模型参数：W，L，KP(ucox)，LAMBDA 与VT相关的模型参数：VT0，GAMMA， PHI 与栅相关的三个电容参数：CGD，CGS，CGB 1.4 频率特性 模型和模型参数特点： 部分模型参数的定义和0.5um工艺模型参数的典型值 1.4 频率特性 模型和模型参数特点： 随着沟长的缩短，短沟窄沟效应凸现，IV公式和阈值电压公式都需修正，模型的发展级别特别多，模型也越来越复杂。 ? LEVEL1 – 最简单，适合长沟道器件，均匀掺杂的预分析 ? LEVEL2 – 含详细的器件物理二级模型，但公式复杂，模拟效率低，小尺寸 管符合不好。 ? LEVEL3 – 经验模型，公式简单。模拟效率高，精度同LEVEL2。小尺寸管精 度不高。 ? BSIM1（Berkly Short-channel IGET ModelLEVEL13，28） – 经验模型，记入电参数对几何尺寸的依赖性。长沟道管（1um以 上的器件）精度高。 1.4 频率特性 模型和模型参数特点： ? BSIM2（LEVEL39） – 与BSIM1形式基本相同 – 改进电流公式，L=0.25um以上的器件精度高。 – 在几何尺寸范围大时，必须分成几个几何尺寸范围，对应几套模 型参数，每套参数适用于一个窄范围。 ? BSIM3 （LEVEL47、49） – 基于物理模型，而不是经验公式。 – 在保持物理模型的基础上改进精度和计算效率，适用于不同的尺 寸范围。 – 尽可能减少器件模型参数（BSIM2 60个，BSIM3 33个） – 注意不同工作区域的连续性，以使电路模拟时收敛性好。 – *基于MOS器件的准二维分析（记入几何和工艺参数） CMOS（Complentary 互补CMOS） n沟MOSFET与p沟MOSFET互补 实现低功耗、全电平摆幅 数字逻辑电路的首选工艺 1.5 开关特性 CMOS反相器 NMOS传输高电平会有VTN的损失。原因？ PMOS传输低电平会有VTP的损失。原因？ 开关时间：输出相对于输入的时间延迟，包括导通时间ton和关断时间toff。 来源：载流子沟道输运时间，（本征延迟） 输出端对地电容的充放电时间。（负载延迟） 提高开关速度途径（降低开关时间）： 减小沟长L（L5um,开关速度由负载延迟决定） 减小对地总电容：引线电容、NOMS PMOS的DB间PN结电容等寄生电容。 增加跨导，提高充放电电流。（跨导和I都正比于增益因子） 1.5 开关特性 版图 1.5 开关特性 MOSFET版图 1.5 开关特性 反相器版图 1.5 开关特性 CMOS与非门 1.5 开关特性 CMOS或非 11.7 小结 MOSFET的几个简单公式： MOSFET是一种表面性器件，工作电流延表面横向流动，所以器件特性强烈依赖于沟道表面尺寸W、L。L越小，截止频率和跨导越大，集成度越高。 FET仅多子参与导电，无少子存贮、扩散、复合效应（双极里讲过），开关速度高，适于高频高速工作 MOSFET的栅源间有绝缘介质，所以为电容性高输入阻抗，可用来存储信息。（存储电路，mosfet） Sb,db处于反偏（至少0偏），同一衬底上的多MOSFET可实现自隔离效果。 硅栅基本取代了铝栅，可实现自对准，减小器件尺寸，提高集成度。 MOSFET可以分为n沟道、p沟道，增强型、耗尽型。对于不同类型的M