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半导体器件原理 南京大学 2。MOSFET 电流电压特性 (1)电荷层近似：反型层中无电势降落或能带弯曲。 半导体器件原理 南京大学 (2) 线性区的电流电压特性 阈值电压Vt 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 线性区 半导体器件原理 南京大学 (3) 饱和区的电流电压特性 体效应系数： 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 饱和区 半导体器件原理 南京大学 (4) 夹断和电流饱和 沟道漏端的表面沟道在饱和状态产生消失。 半导体器件原理 南京大学 夹断区 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 Vds→Vdsat=(Vg-Vt)/m →dV/dy=∞ 电场在沟道方向的变化比垂直于沟道方向快许多，使渐变沟道近似被破坏。载流子不再束缚在表面沟道中 严格求解： dIds/dVds=0? * * 纵向电场对沟道迁移率和沟道电子速度的影响 纵向电场对沟道迁移率的影响 光学声子散射引起的两次碰撞之间平均自由时间减小的结果 简单模型和考虑载流子速度饱和模型计算的电流电压曲线 纵向电场对电流的影响 相当于沟道长度变长 饱和电压随沟道长度的