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第四章 场效应管放大电路
本章内容
4.1 结型场效应管
4.2 绝缘栅场效应管
4.3 场效应管的主要参数
4.4 场效应管的特点
4.5 场效应管放大电路
本章要点
场效应管的类型
场效应管的工作原理
场效应管的主要参数和特点
场效应管放大电路的分析方法
电子课件四:场效应管放大电路
课时授课教案
一 授课计划
批 准 人: 批准日期:
课 序: 9 授课日期: 授课班次:
课 题: 第四章 第4.1节 结型场效应管
目的要求:1. 了解场效应管的类型和电路符号。
理解结型场效应管的工作原理。
掌握结型场效应管的特性。
重 点: 结型场效应管的工作原理
难 点: 结型场效应管的输出特性
教学方法
手 段: 结合电子课件讲解
教 具: 电子课件、计算机、投影屏幕
复习提问: 1. 三极管三种基本组态放大电路的特点?
2. 三极管的输出特性曲线的四个区?
课堂讨论: 1. N沟道结型场效应管的外部工作条件?
2. 场效应管的特性曲线与三极管的特性曲线有何异同点?
布置作业:
课时分配:
课堂教学环节
复习提问
新课讲解
课堂讨论
每课小结
布置作业
时间分配(分钟)
8
75
10
5
2
二 授课内容
4.1 结型场效应管
引言
场效应管属于单极性电压控制型晶体管,它有许多优点,用得也比较广泛。
场效应管有结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGBT)两大类。
结型场效应管为耗尽型,他又分为N 沟道和P沟道两种,其电路符号如图4-1所示。
绝缘栅场效应管有增强型和耗尽型之分,又各有N沟道和P沟道两种,其电路符号如图4-12所示。
场效应管放大电路有共源极放大电路和共漏极放大电路两种。
4.1.1 结构
下面以N沟道结型场效应管为例进行分析,如图4-1(a)所示。
三个区域:一个N型区,两个P型区。
三个电极:源极S,漏极D,栅极G。
两个PN结:
一个导电沟道:N型导电沟道
电路符号如图4-1(c)所示。电路符号中栅极的箭头方向表示PN结的正方向。
4.1.2 工作原理
外部工作条件:UDS为正值,UGS为负值。
当uGS=0时,PN结最窄,导电沟道最宽。在正向电压uDS的作用下,产生较大的漏极电流IDSS,IDSS称为饱和漏极电流。
当uGS0时,PN结反偏,PN结变宽,导电沟道变窄。在正向电压uDS的作用下,漏极电流iD 减小 。
当uGS≤UP,UP0时,PN结反偏,PN结变得更宽且把导电沟道夹断,漏极电流iD 为零 。
UP称为夹断电压,如图4-2所示。
结论:
uGS改变,PN结宽度改变,导电沟道宽度改变,漏极电流改变,故曰电压控制型晶体管。
因为PN结处于反偏状态,故栅极电流很小,其栅源电阻RGS很大。
因为场效应管只有一种载流子(N沟道是电子,P沟道是空穴)导电,故曰单极性晶体管。
4.1.3 转移特性曲线
结型场效应管的漏极电流iD与栅源电压uGS的关系式如下:
式中:IDSS-----饱和漏极电流
UP-------夹断电压
iD--------漏极电流
uGS-----栅源极间电压
UDS-----漏源极间电压为参变量
转移特性曲线如图4-5所示。
4.1.4 输出特性曲线
在栅源电压一定时,漏极电流与漏源极间电压的关系。
输出特性曲线如图4-4所示。
可变电阻区
在图4-4中靠近纵轴的区域为可变电阻区。UGS不变,iD随uDS升高而增大,电阻随UGS变化而改变。它对应于三极管输出特性曲线的饱和区。
恒流区
UGS不变时,iD基本不随uDS而改变,故称为恒流区或饱和区,实为放大区。它对应于三极管输出特性曲线之放大区。
夹断区。
uGS=UP时,iD=O。它对应于三极管输出特性曲线的截止区。
击穿区
当uDS升高到一定值时,PN结被反向击穿,iD突然增大,叫击穿区。
思考题:
对于P沟道结型场效应管来说,其结构、外部条件、工作原理、转移特性曲线、输出特性曲线如何?
小 结
场效应管属于单极性电压控制型器件,它有结型和绝缘栅型两大类 ,结型场效应管只有耗尽型,但它有N沟道和P沟道两种。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型之分,又各有N沟道和P沟道两种,它们的结构、电路、工作条件、特性曲线不同。
结型场效应管的工作原理是:改变UGS,改变PN结宽度,改变导电沟道宽度,最终改变漏极电流大小。
场效应管的栅极电流近似为零,输入电阻很大。
作 业
教材P95 习题四:1
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