模拟集成电路电容电阻.pptVIP

Dr. Jian Fang . UESTC 模拟集成电路 7.电容电阻 概述 特点： 精度低（20％），绝对误差大。 温度系数大。 可制作的范围有限。 占用芯片面积大，成本高。 多用有源器件， 少用无源器件。 6.2.4 模拟集成电路中的电容器 在模拟集成电路中，电容也是一个重要的元件。在双极型模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在MOS模拟集成电路中，由于在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与MOS器件相匹配，故集成电容得到较广泛的应用。普通pn结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点，故应用不多。在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。由于在MOS工艺中实现的MOS电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%~5%，因此在D/A、A/D转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。 以N+硅作为下极板的MOS电容器 集成电路中MOS电容 以上介绍MOS电容器的电容量的大小和电容器的面积有关，与单位面积的电容即两个极板之间的氧化层的厚度有关。可以用下式计算： 真空电容率： 是二氧化硅的相对介电常数，约等于3.9，两者乘积为 ，如果极板间氧化层的厚度为80nm(0.08μm)，可以算出单位面积电容量为 ，也就是说，一个10，000μm2面积的电容器的电容只有4.3pF。 电容的放大—密勒效应 对于跨接在一个放大器输入和输出端之间的电容，因为密勒效应将使等效的输入电容放大。图6-14说明了这种效应。 假设电容Co跨接在具有电压增益Av的倒相放大器输入和输出端，则等效的输入阻抗就等于： 等效的输入阻抗就等于： 在实际的电路设计中常利用这种效应来减小版图上的电容尺寸例如频率补偿电容就常采用这样的结构。另一方面，这种密勒效应也同样具有不利的一面，例如，MOS晶体管的栅漏之间的寄生电容CGD(因栅漏覆盖所引起)也会因密勒效应使MOS管的等效输入电容增加，影响器件的速度。 在电阻的制作过程中，由于加工所引起的误差，如扩散过程中的横向扩散、制版和光刻过程中的图形宽度误差等，都会使电阻的实际尺寸偏离设计尺寸，导致电阻值的误差。电阻条图形的宽度W越宽，相对误差ΔW/W就越小，反之则越大。与宽度相比，长度的相对误差ΔL/L则可忽略。因此，对于有精度要求的电阻，要选择合适的宽度，以减小电阻条图形误差引起的失配。 高精度电阻也常采用长条电阻串联的形式 从图中可以看出，有的电阻条宽，如(b)、(d)、(e)图结构；有的电阻条窄，如(a)、(c)图结构；有的是直条形状的电阻，如(a)、(b)图所示；有的是折弯形状的电阻，如(c)~(e)所示，有的是连续的扩散图形，如(a)~(d)图结构，有的是用若干直条电阻由金属条串联而成，如(c)图所示。那么，在设计中根据什么来选择电阻的形状呢? 一个基本的依据是：一般电阻采用窄条结构，精度要求高的采用宽条结构；小电阻采用直条形，大电阻采用折弯形。 ②电阻图形尺寸的计算 根据具体电路中对电阻大小的要求，可以非常方便地进行电阻图形设计。设计的依据是工艺提供的掺杂区的方块电阻值和所需制作的电阻的阻值。一旦选中了掺杂区的类型，可以依据下式计算。 其中，R□是掺杂半导体薄层的方块电阻，L是电阻条的长度，W是电阻条的宽度，L／W是电阻所对应的图形的方块数。因此，只要知道掺杂区的方块电阻，然后根据所需电阻的大小计算出需要多少方块，再根据精度要求确定电阻条的宽度，就能够得到电阻条的长度。 当然，这样的计算是很粗糙的，因为在计算中并没有考虑电阻的折弯形状和端头形状对实际电阻值的影响，在实际的设计中需根据具体的图