椭圆偏光薄膜度量加强了45奈米及以上的制程.pdf

度量 橢圓偏光薄膜度量加強了45 奈米及以上的製程 Arun R. Srivatsa -– KLA-Tencor Corporation 橢圓偏光(SE) 是今日晶圓廠生產薄膜監控的關鍵技術 。在光譜保真度 、較短波長的使用以及許多其他改善的進展使 得 技術得以測量厚度及折射率 ，也包括許多薄膜中的材料成分 ，包括 和 節點的氮化氧 、含硼矽鍺 SE 65 nm 45 nm (SiGe:B) 和high-k 材料 。 在 和 節點出現新的材質與結構之後 ，對於薄膜 學薄膜度量新的應用資料與潛在的解決方案將會被提出 65 45 nm 度量要求的複雜程度更為增加 ，但是度量的預算卻更加 討論。 縮減 。在數個關鍵製程中，僅監控製程控制的厚度與折 射率已經不再足夠 。同時還必須測量或推斷有效製程控 多項正面挑戰 制的成分、多孔性以及其他參數 。使用包含這些參數的 業界普遍認為在65 nm 和4 5 nm 節點中 ，薄膜度量有日 光學屬性系統變動 ，最近在橢圓偏光量測 (SE) 應用方面 趨複雜與密集的趨勢 （圖 ）。再加上普遍緊縮的製程視 1 的進步已經能夠成功地在研發與生產中採用這項技術 ， 窗與度量預算 （一般的基本原則是總薄膜的度量預算應 以便監控不同物質的成分 ，例如high-k 閘極電介質、氮 該小於製程預算的 10% ），是由下列兩個其他因素所帶 化物閘極氧化物和含硼矽鍺 (SiGe:B) 。處理新的材料和 1-5 動 ：許多新材質以及創新結構引進 於製程的前端與後 複雜結構會面