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聚苯乙烯分子刷绝缘修饰层对喷墨打印有机薄膜晶体管的影响-材料工程专业论文.docxVIP

聚苯乙烯分子刷绝缘修饰层对喷墨打印有机薄膜晶体管的影响-材料工程专业论文.docx

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聚苯乙烯分子刷绝缘修饰层对喷墨打印有机薄膜晶体管的影响-材料工程专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 A A Dissertation Submitted for the Degree of Master The Effect of Polystyrene Brush Modification Layer on Inkj et Printed OTFTs By Ymg Wang Hefei University of Technology Hefei,Anhui,P.R.China March,2015 万方数据 合肥工业大学本论文经答辩委员会全体委员审查,确认符合合肥工业 合肥工业大学 本论文经答辩委员会全体委员审查,确认符合合肥工业 大学专业硕士学位论文质量要求。 答辩委员会签名(工作单位、职称、姓名) 骝瓷 委员: 鎏軎.稳合肥工业大学 教授 舛砬臻合肥工业大学 教授 导师: 务嘻√诡 万方数据 学位论文独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行独立研究工作所 学位论文独创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行独立研究工作所 取得的成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的内容外,论文中不包含 其他人己经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得 金月曼王些太堂 或其他 教育机构的学位或证书而使用过的材料。对本文成果做出贡献的个人和集体,本 人己在论文中作了明确的说明,并表示谢意。 学位论文中表达的观点纯属作者本人观点,与合肥工业大学无关。 学位论文作者签名: 土凹—。.L! 签名日期:矽fS年q月加日。。 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解金目巴王些太堂有关保留、使用学位论文的规定, 即:除保密期内的涉密学位论文外,学校有权保存并向国家有关部门或机构送交 论文的复印件和电子光盘,允许论文被查阅或借阅。本人授权金目巴王些太堂 可 以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库,允许采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名:垃 指导教师签名:琴、呼√诡指导教师签名:芗、d√V沙 签名日期: 加f多年牛月2D日 签名日期:力of5年牛月加曰 论文作者毕业去向 工作单位: 联系电话: E—m ai l: 通讯地址: 邮政编码: 万方数据 摘要在现有的印刷技术中,喷墨打印凭借其直接图案化、无需掩膜光刻及材料利 摘要 在现有的印刷技术中,喷墨打印凭借其直接图案化、无需掩膜光刻及材料利 用率高等优点,从出现一开始就引起了人们的普遍关注。而在喷墨打印的有机薄 膜晶体管(oTFT)中,绝缘层的界面修饰是提高喷墨打印有源层半导体分子结晶 性及优化OTFT器件电学性能的有效方法。 本文通过表面引发一原子转移自由基聚合(SI—ATRP)在OTFT中的绝缘层表 面制备了表面光滑平整的不同厚度的聚苯乙烯(PS)分子刷修饰层,其粗糙度均 在O.5 nnl以下。将其与常用紫外臭氧(UV/03)、六甲基二硅胺(HMDS)、十 八烷基三氯硅烷(OTDS)的修饰表面进行对比,研究了各修饰表面对喷墨打印的 TIPS一并五苯单点的薄膜形貌和结晶形态的影响。结果表明,相比于其它几种修饰 表面,PS分子刷表面对喷墨打印的6,13.双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS一 并五苯)薄膜有很好的结晶修饰作用,且随着PS分子刷厚度的增加,TIPS一并五 苯分子的结晶逐渐变得连续,在厚度为15.0 nin的PS分子刷表面,单点薄膜的结晶 可以呈整片连续状。单点结晶的改善依赖于接枝PS的链长,越长的PS链使得墨 滴的粘度越大,墨滴在干燥过程中就会产生越为连续均匀的结晶形貌。在不同厚 度的PS分子刷表面喷墨打印单点OTFT器件中,器件电学性能也随PS分子刷厚 度的增加而逐渐提高,15.0 nm厚的PS分子刷上的单点金电极器件最高迁移率可 达1.14xlO~cm2V一1 s_1。 关键词:喷墨打印;有机薄膜晶体管;界面修饰;聚苯乙烯分子刷;6,13一双(三 异丙基硅烷基乙炔基)并五苯 万方数据 A A bstract Among the established printing technologies,inkjet printing is very promising because the film of the printed material can be directly patterned without the use of a mask or additional etching processes,and it has the advantage of high material utilization.For the OTFTs with inkier—printed semiconductor l

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