第八章逻辑控制师电路赵.pptVIP

图7-31为一单稳辨向电路，输入信号A、B为相位差90?的方波信号，分析其辨向原理，并分别就A导前B 90?、B导前A 90?的情况，画出A?、Uo1、Uo2的波形。 7-3 若测得待细分的正余弦信号某时刻值为u1=2.65V, u2=-1.33V，采用微机对信号进行200细分，请判别其所属卦限，并求出对应的?值和k值。 某时刻正弦信号值为u1=2.65V, 余弦信号值为 u2=-1.33V，根据两信号的极性（u1为+、u2为-）和绝对值大小（|u1|〉|u2|），可判别出信号在3卦限。 由于对信号进行200细分，因此在一个卦限内，需实现25细分。在3卦限用|ctg?| 7-4 在图7-9所示只读存储器256细分电路中，请计算第A000(十六进制)单元的存储值。 A000(十六进制)对应的二进制为1010000000000000，即XY对应十进制X=160、Y=0， 由下式 7-5 在图7-14a所示的鉴相电路中为什么要设置门槛，门槛电路是如何工作的？ 鉴相电路若没有设置门槛，会有在平衡点附近振摆跟踪的问题。鉴相电路设置门槛（见图7-14a），只是在鉴相电路中加有两个RC延时回路起门槛的作用。在Uj超前时（见图7-14b），只有DG1有可能输出低电平、Uj?的上升要滞后于Uj的上升。若Uj与Ud的相位差很小，在Uj?到达开门电平前，Ud已经上跳，就不会发生Ux为高电平的相位差信号，当Uj滞后Ud时（图7-14c），只有DG2有可能输出低电平, Ud?是Ud的延时信号，也可起门槛作用。调节电阻R和电容C可改变门槛的大小。 控制电路 开环控制 闭环控制 (一) 开环控制 精度不高: 一、对扰动的测量误差影响控制精度。 二、扰动模型的不精确性影响控制精度。 （二）闭环控制 加校正电路 主要考虑从发现输出量发生变化到执行控制需要一段时间，为了提高响应速度常引入微分环节。 另外，当输出量在扰动影响下作周期变化时，由于控制作用的滞后，可能产生振荡。为了防止振荡，需要引入适当的积分环节。在实际电路中，往往比较电路的输出先经放大再送入校正电路，视需要可能再次放大 第八章　逻辑控制电路 二值可控元件驱动电路 可编程逻辑器件 第一节 二值可控元件驱动电路 一、功率开关驱动电路 二、继电器与电磁阀驱动电路 三、步进电动机驱动电路 一、功率开关驱动电路 分类： 按照电路中所采用的功率器件类型分类，常见的有晶体管驱动电路、场效应管驱动电路和晶闸管驱动电路等类型。 按照电路所驱动的负载类型分类，常见的有电阻性负载驱动电路和电感性负载驱动电路等类型。 按照电路所控制的负载电源类型分类，常见的有直流电源负载驱动电路和交流电源负载驱动电路等类型 （一）晶体管直流负载功率驱动电路 设计要点: 合理确定Ui、R与V的电流放大系数? 值之间的数值关系，充分满足 I b ? I L / ?，可确保V导通时工作于 饱和区，以降低V的导通电阻及减小功耗。 （二）场效应晶体管直流负载功率驱动电路 用于功率驱动电路的场效应晶体管称为功率场效应晶体管。功率场效应晶体管是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，所需的驱动功率很小，对驱动电路要求较低。功率场效应晶体管具有较高的开启阈值电压，有较高的噪声容限和抗干扰能力。 场效应晶体管大多数为绝缘栅型场效应管，亦称MOS场效应管。功率场效应晶体管在制造中多采用V沟槽工艺，简称为VMOS场效应管。其改进型则称为TMOS场效应管 图8-2　场效应晶体管功率驱动电路 a)VMOS场效应管电极　b)场效应管驱动电路 （三）晶闸管交流负载功率驱动电路 交流负载的功率驱动电路，通常采用晶闸管来构成。晶闸管有单向晶闸管和双向晶闸管两种类型。 一、导通条件 二、关断条件 晶闸管导通条件： 在阳极A与阴极K之间加正向电压，同时在门极G与阴极K之间加正向电压（触发），这样阳极A与阴极K之间即进入导通状态。晶闸管一旦导通，只要阳极A与阴极K之间的电流不小于其维持电流IH，门极G与阴极K之间是否还存在正向电压，对已经导通的晶闸管完全没有影响。 晶闸管关断条件： 主电极阳极A与阴极K之间的电流小于其维持电流IH，晶闸管即进入关断状态。 与单向晶闸管相比较，双向晶闸管的主要区别是： ①在触发之后是双向导通的； ②触发电压不分极性，只要绝对值达到触发门限值即可使双向晶闸管导通。 实用中应注意: 如果驱动的是感性负载，必须设置合理的关断泄流回路，一方面可保护开关器件，另外也可起到消除对外电磁干扰的作用。 二、继电器与电磁阀驱动电路 继电器广泛用于生产控制和电力系统中，具有接触电阻小、