溶胶一凝胶法制备BST铁电薄膜及性能研究.PDFVIP

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第20卷第1期 红外 与 毫 米 波 学报 Vo1.20.No.1 ~ 20 ~~ 1M U )II- .!cj ~ *l t 1Il Vol. 20. No.1 February,2001 2001 4 2 Jl February, 2(101 2001年 2月 J. Infrared Millim. Waves J.IMrared Millim.Waves 溶胶一凝胶法制备BST铁电薄膜及性能研究 M $.11 lk5U) ij*~3 /ffi;ifjll 赵 敏” 张荣君 顾豪爽 陈铭南 (”同济大学应用物理系,上海,200092; (Jill $:Ie l WlJll!\l!JlIl. ¥ . .tj!j ,200092, 复旦大学光科学与工程系,上海.200433; I, J: 1l. :Ie * :lf;#l I,f- ,.tj!j .200433, iM j~:Ie l a: I! IIij It: IHI: Jjf • iM j~ ,W; Ill. .430062) 湖北大学压电陶瓷研究所.湖北,武汉,430062 摘要 研究了一种以水为溶剂的(Ba SC )TiOs(即BST)液体骠溶破.用Sol—Gel技术制备出/3ST薄膜.性能测 IIIIl If t 1-#,~ it h it 111 Ii! 1 .,Sr ITi()~(NP BSTlilUIiii ~ ilI:.1Il Sol-Gel tt *..I-11c iJj BST iifll. it lit:ifJ 试结果表明.厚度为160nm700C保温lh的(Ba SC 。)TiOs薄膜具有较好的结构、舟电性能和漏电流性能:在室 il:, ItJH, iI • ,If it 1, 160nm7(O ( 1* ill. In 8\ ( ,Sr mo. iif ,II 1; f !fIJl!Ii~, II- t lU, fo l4 t iUU tor 0 温下.其为纯立方钙铁矿相,舟电常数为225.舟电损耗为0.044,漏电流密度为8 0×10 A/em。进一步研究发现, ill. T .~ h /IIi :![t H!; r cl!I ,-iC t t l!l1, 225. II- t JHf.h 0. 44,;10 t iiff. i! it 1, 8. 0 lO-A/em, iiI-:I * 1E itJIl., flU Ii!;I ill. it Il\ IT iii ,10 t itPH!. •II JIPi t it ,,1 fiI t f.j lUI t It IJ!.l

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