高功率脉冲磁控溅射技术的离子粒子特性及其对薄膜组织-表面技术.PDF

第47 卷 第 5 期 表面技术 2018 年5 月 SURFACE TECHNOLOGY ·245 · 膜层材料与技术 高功率脉冲磁控溅射技术的离子（粒子）特性及其 对薄膜组织结构的影响 1 1 1 2 2 吴保华 ，冷永祥 ，黄楠 ，杨文茂 ，李雪源 （1.西南交通大学 材料科学与工程学院 材料先进技术教育部重点实验室，成都 610031; 2.中国工程物理研究院机械制造工艺研究所，四川 绵阳 621900） 摘 要：作为电离物理气相沉积法（I-PVD ）家族的新成员，高功率脉冲磁控溅射技术（HPPMS/HiPIMS ） 由于其较高的电子密度及金属离化率，自发现以来即受到了国内外专家的广泛关注。从高功率脉冲磁控溅 射过程中金属离化率的角度出发，对高功率脉冲磁控溅射技术的离化机制、离化率定义进行了概述。在此 基础上，重点综述了近些年来常用的离化率测量方法，包括等离子体发射光谱法、原子吸收光谱法、质谱 仪法、多栅式石英微天平法、正电压沉积法等，并比较了各方法之间的优劣。进一步归纳了影响离化率的 关键因素，如靶材功率、脉宽、频率、占空比、峰值电流等电学参数以及靶材种类、气体压力、磁场等非 电参数。最后，针对离化率对薄膜性能的影响等方面的研究进展进行了综述，分别讨论了离化率对薄膜组 织结构、斜入射沉积及均一性的影响，并概述了离化率对薄膜性能的不利影响。该文旨在为更好地调控并 优化溅射过程中的离子特性提供借鉴，为制备性能优异的薄膜提供理论基础。 关键词：高功率脉冲磁控溅射；离化率；薄膜性能；等离子体；组织结构 中图分类号：TG147 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2018)05-0245-11 DOI ：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2018.05.038 The Plasma Characteristics in High Power Pulsed Impulsed Magnetron Sputtering (HiPIMS) and Its Effect on Films Properties 1 1 1 2 2 WU Bao-hua , LENG Yong-xiang , HUANG Nan , YANG Wen-mao , LI Xue-yuan (1.Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China; 2.Institute of Machinery Manufacturing Technology, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China) ABSTRACT: As a new member of ionized physical vapor deposition (I-PVD) family, high power pulsed magnetron sputtering (HPPMS/HiPIMS) technology has drawn much attention from experts at home and abroad a